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J-GLOBAL ID：200903022587116242

半導体集積回路およびそれを用いた画像表示装置

Inventor：
久保田 靖

About 久保田 靖

, 
綿谷 公秀

About 綿谷 公秀


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 青山 葆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000346736
Publication number (International publication number)：2002151697
Application date： Nov. 14, 2000
Publication date： May. 24, 2002
Summary：
【要約】【課題】 異なる特性を有する複数の薄膜トランジスタによって構成され、しかも安価な半導体集積回路と、それを用いた液晶表示装置を提供すること。【解決手段】 基板上に、非晶質シリコン薄膜をレーザ照射して形成した多結晶シリコン薄膜27と、レーザ照射しないで形成した多結晶シリコン薄膜28とを設け、レーザ照射されてなる多結晶シリコン薄膜27の結晶成長方向に、ソース領域とドレイン領域との最短距離を結ぶ直線が一致するように薄膜トランジスタ29a,29a・・・を形成する。レーザ照射されなくて結晶粒界が比較的大きい多結晶シリコン薄膜28には、配置方向を考慮することなく薄膜トランジスタ62,62・・・を形成する。キャリア領域の電子移動度が大きい薄膜トランジスタ29aでデータ信号線駆動回路を構成し、キャリア領域の電子移動度が小さくてリーク電流が少ない薄膜トランジスタ62で画素のスイッチを構成する。
Claim (excerpt)：
絶縁性基板上に形成された複数の薄膜トランジスタを有する半導体集積回路において、上記複数の薄膜トランジスタは、複数の異なる結晶化方法によって作製された複数の半導体薄膜領域に形成されていることを特徴とする半導体集積回路。
IPC (6)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 27/08 331
FI (8)：
H01L 21/20 ,  H01L 21/268 F ,  H01L 27/08 331 E ,  H01L 29/78 627 G ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 612 B ,  H01L 29/78 613 A ,  H01L 29/78 618 Z
F-Term (47)：
2H092GA59 ,  2H092JA24 ,  2H092KA04 ,  2H092MA28 ,  2H092MA30 ,  2H092NA21 ,  2H092NA25 ,  2H092PA06 ,  5F048AA08 ,  5F048AA09 ,  5F048AB03 ,  5F048AC04 ,  5F048BA10 ,  5F048BA16 ,  5F048BG05 ,  5F052AA02 ,  5F052AA11 ,  5F052AA24 ,  5F052BA04 ,  5F052BA07 ,  5F052BA08 ,  5F052BB07 ,  5F052CA04 ,  5F052CA10 ,  5F052DA02 ,  5F052FA02 ,  5F052FA06 ,  5F052JA01 ,  5F110AA16 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110GG02 ,  5F110GG06 ,  5F110GG13 ,  5F110GG16 ,  5F110NN77 ,  5F110NN78 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP23 ,  5F110PP24 ,  5F110PP29 ,  5F110PP34
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
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