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J-GLOBAL ID:200903022617168919

弾性表面波素子とその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 作田 康夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001317579
Publication number (International publication number):2003124767
Application date: Oct. 16, 2001
Publication date: Apr. 25, 2003
Summary:
【要約】【課題】 弾性表面波素子の遅延時間温度係数を改善する方法として、単結晶圧電基板である第1の基板を線熱膨張係数が小さい第2の基板と接合させた接合基板が提案されている。しかし、この方法は第1の基板の伸縮を力で抑圧する手法であり、接合界面に発生する応力により基板が破損するという課題がある。【解決手段】第1の基板と第2の基板には線熱膨張係数の異なる2枚の基板を用い、第1の基板の熱膨張係数が最も小さい方向と、第2の基板の基板接合時に第1の基板の最も熱膨張係数が小さい方向と一致させる方向との線熱膨張係数の差を4ppm/°C以内とし、さらに第1の基板の弾性表面波が励振する方向と直交する方向に、第1の基板もしくは第2の基板またはその両方の基板に線熱膨張係数の差異により発生する応力を緩和する切込みパターンを形成する。【効果】線熱膨張係数が改善され、遅延時間温度係数が小さい弾性表面波素子の作製が可能となる。
Claim (excerpt):
単結晶圧電基板である第1の基板と、前記第1の基板に接合された第2の基板と、前記第1の基板の前記第2の基板との接合面と反対側の面上に形成され弾性波を励振する櫛型交差指電極とを備えた弾性表面波素子の製造方法において、上記第1の基板と第2の基板を接合する際に、前記第1の基板の弾性表面波の伝搬方向における前記第2の基板の線熱膨張係数は、前記第1の基板の同方向の線熱膨張係数より小さいこととし、さらに前記第1の基板の線熱膨張係数が最も小さい方向の線熱膨張係数と、前記第1の基板の線熱膨張係数が最も小さい方向と基板接合後に一致する方向の前記第2の基板の線熱膨張係数との差が、4ppm/°C以内であるように接合することを特徴とする弾性表面波素子の製造方法。
IPC (2):
H03H 3/08 ,  H03H 9/25
FI (2):
H03H 3/08 ,  H03H 9/25 C
F-Term (8):
5J097AA09 ,  5J097AA28 ,  5J097AA31 ,  5J097EE03 ,  5J097EE08 ,  5J097GG03 ,  5J097GG04 ,  5J097HA03
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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