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J-GLOBAL ID：200903022789492874

スピンバルブトランジスタ

Inventor： 佐藤 俊彦 ,  秋永 広幸 ,  本田 元就 ,  樽茶 清悟 ,  大野 圭司 ,  横山 浩
Applicant, Patent owner： 科学技術振興事業団 ,  独立行政法人産業技術総合研究所
Agent (1)： 清水 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001382827
Publication number (International publication number)：2003188390
Application date： Dec. 17, 2001
Publication date： Jul. 04, 2003
Summary：

【要約】【課題】 磁気抵抗変化の大幅な向上による信号レベルの減少を抑えて信号体雑音比を高めることができるスピンバルブトランジスタを提供する。【解決手段】 半導体層(400)上に直に成長させた第一の磁性体層(200)と、この第一の磁性体層(200)上に、順にトンネルバリア層(300)と、第二の磁性体層(100)とを積層した構造を有するスピンバルブトランジスタであって、前記半導体層(400)上にアバランシェブレイクダウンによる電子増倍層(410)を設ける。

Claim (excerpt)：

半導体層上に直に成長させた第一の磁性体層と、該第一の磁性体層上に、順にトンネルバリア層と、第二の磁性体層とを積層した構造を有するスピンバルブトランジスタであって、前記半導体層上にアバランシェブレイクダウンによる電子増倍層を設けることを特徴とするスピンバルブトランジスタ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• スピン伝導素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-267626   Applicant：株式会社東芝
• 磁性体デバイス及びそれを用いた磁気センサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-189366   Applicant：株式会社東芝
• スピン・トランジスタ
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平9-538670   Applicant：アイシス・イノベーション・リミテッド
• 磁気抵抗効果素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-252168   Applicant：株式会社東芝