窒化物半導体レーザ素子

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (2)：小野由己男 , 堀川かおり
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007239326
Publication number (International publication number)：2009071127
Application date： Sep. 14, 2007
Publication date： Apr. 02, 2009
Summary：

【課題】窒化物半導体レーザ素子における内部電界を最小限に止め、高い発光効率を有する長波長の窒化物半導体レーザ素子を実現することを目的とする。【解決手段】AlxGa1-xN(0<x≦1)からなる層を含む窒化物半導体層と、該窒化物半導体層上に形成されたInyGa1-yN(0<y≦1)からなる層を含む活性層とを備える窒化物半導体レーザ素子であって、前記窒化物半導体層の成長面が、C面{0001}とのなす角度がθである面を含み、かつ前記窒化物半導体層及び活性層が、 x>(5.3049-0.09971θ+0.0005496θ2)y+(-0.74714+0.01998θ-0.00012855θ2)を満足する組成である窒化物半導体レーザ素子。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

AlxGa1-xN(0<x≦1)からなる層を含む窒化物半導体層と、該窒化物半導体層上に形成されたInyGa1-yN(0<y≦1)からなる層を含む活性層とを備える窒化物半導体レーザ素子であって、前記窒化物半導体層の成長面として、C面{0001}とのなす角度がθ°である面を含み、かつ前記窒化物半導体層及び活性層が、 x>(5.3049-0.09971θ+0.0005496θ2)y+(-0.74714+0.01998θ-0.00012855θ2) (a) を満足する組成であることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。

IPC (2)：

H01S 5/343 , H01S 5/223

FI (2)：

H01S5/343 610 , H01S5/223

F-Term (16)：

5F173AA05 , 5F173AF04 , 5F173AF15 , 5F173AF35 , 5F173AF55 , 5F173AH22 , 5F173AH23 , 5F173AH49 , 5F173AL13 , 5F173AL16 , 5F173AP05 , 5F173AP84 , 5F173AR02 , 5F173AR23 , 5F173AR43 , 5F173AR61

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

窒化物系半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-284330 Applicant：松下電器産業株式会社
半導体発光素子、光半導体素子、発光ダイオード及び表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-038138 Applicant：富士通株式会社
半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-272321 Applicant：株式会社日立製作所

Cited by examiner (4)

窒化物半導体発光素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-006300 Applicant：日亜化学工業株式会社
半導体発光素子、光半導体素子、発光ダイオード及び表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-038138 Applicant：富士通株式会社
発光素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-213516 Applicant：富士通株式会社

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