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J-GLOBAL ID：200903075193809117

マイクロ波プラズマを使用するプロセス装置

Inventor： 横川 賢悦 ,  小野 哲郎 ,  辻本 和典 ,  板橋 直志 ,  森 政士
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995326824
Publication number (International publication number)：1997102400
Application date： Dec. 15, 1995
Publication date： Apr. 15, 1997
Summary：

【要約】【課題】消費電力が少なく高速度加工が可能で、高均一な有磁場マイクロ波プラズマを発生させるプロセス装置を提供する。【解決手段】真空容器101外部に大口径永久磁石102を設け主磁場を形成し、ア-ス電位の平板105に近接し並行に配置された放射状ストリップライン106によりマイクロ波を気相中に供給する構成とする。【効果】イオン密度、ラジカル密度の高いプラズマが低消費電力で形成できる。また、広い面積にわたり均一な電磁波放射ができ、大口径高均一プラズマが実現できる。

Claim (excerpt)：

ガス導入部及び排気部をもつ真空チャンバーと、該真空チャンバー内に被加工試料を設置する被加工試料設置手段と、該被加工試料の加工面と垂直方向に磁場を形成する磁場形成手段と、該加工面に対向する位置に設置されるアース電位の平板の近傍にストリップラインからなるマイクロ波導入手段と、該アース電位の平板及びストリップラインにマイクロ波電力を給電するマイクロ波導波手段とをもち、該真空チャンバー内の電磁波で気相中に導入されたガスをプラズマ化することを特徴とするプロセス装置。

IPC (6)：

H05H 1/46 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065

FI (7)：

H05H 1/46 C ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 D ,  C23F 4/00 G ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (15)

• 特開平1-184923
  
• 特開平4-296106
  
• 特開昭64-017869
  
• マイクロ波プラズマエッチング装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-342006   Applicant：キヤノン株式会社, キヤノン販売株式会社
• ECR型プラズマ発生装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-329347   Applicant：坂本雄一, 入江工研株式会社, ニチメン株式会社
• 特開平1-258400
  
• マイクロ波プラズマ処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-119516   Applicant：株式会社日立製作所
• プラズマ処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-122978   Applicant：日本電気株式会社, 日本高周波株式会社, 日電アネルバ株式会社
• 特開平3-068771
  
• プラズマエッチング装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-186383   Applicant：株式会社日立製作所
• 特開平1-184923
  
• 特開平4-296106
  
• 特開昭64-017869
  
• 特開平1-258400
  
• 特開平3-068771