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J-GLOBAL ID：200903024521315190

III族窒化物結晶成長法

Inventor： 笹岡 千秋
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 金田 暢之 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999183976
Publication number (International publication number)：2001015437
Application date： Jun. 29, 1999
Publication date： Jan. 19, 2001
Summary：

【要約】【課題】 本発明の目的は、良質なIII族窒化物結晶を再現性よく、安定した成長速度で成長させる有機金属気相成長法を提供することを目的とする。【解決手段】 III族窒化物結晶を成長させる有機金属気相成長法において、前記III族有機金属ガスおよび前記窒素化合物原料ガスを輸送するキャリアガスが炭化水素を含む。

Claim (excerpt)：

III族有機金属ガスと、窒素化合物原料ガスとを反応させIII族窒化物結晶を成長させる有機金属気相成長法において、前記III族有機金属ガスおよび前記窒素化合物原料ガスを輸送するキャリアガスが、炭化水素を含むことを特徴とする有機金属気相成長法。

F-Term (30)：

5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC07 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC14 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AC18 ,  5F045AC19 ,  5F045AD14 ,  5F045AE25 ,  5F045AF05 ,  5F045AF09 ,  5F045BB04 ,  5F045BB09 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F045DA63 ,  5F045DA64 ,  5F045DQ06 ,  5F045EB15 ,  5F045HA02 ,  5F045HA06 ,  5F045HA16 ,  5F045HA22

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

• 半導体薄膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-062659   Applicant：松下電器産業株式会社
• 微結晶化合物光半導体及びその製造方法並びに光半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-051931   Applicant：富士ゼロックス株式会社
• 非晶質材料
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-233981   Applicant：富士ゼロックス株式会社
• エピタキシャルウエハの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-139625   Applicant：三菱化学株式会社
• 3族窒化物半導体素子製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-361147   Applicant：パイオニア株式会社
• 窒化物系半導体素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-037990   Applicant：株式会社東芝
• p型窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-264626   Applicant：ソニー株式会社
• 半導体光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-142590   Applicant：株式会社日立製作所