TFTアレイ基板、液晶表示装置、TFTアレイ基板の製造方法および液晶表示装置の製造方法、並びに電子装置

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：原謙三 , 木島隆一 , 金子一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003207744
Publication number (International publication number)：2004247704
Application date： Aug. 18, 2003
Publication date： Sep. 02, 2004
Summary：

【課題】例えばインクジェット方式を利用し、製造工数の低減およびコストダウンを可能とする。【解決手段】TFTアレイ基板11は、ガラス基板12上にゲート電極13が形成され、このゲート電極13の本線から分岐したTFT部ゲート電極66の上に、ゲート絶縁層15を介して半導体層16が形成されたTFT部22を備えている。このTFTアレイ基板11において、半導体層16は液滴の滴下形状をなしている。したがって、液滴の滴下により半導体層を直接形成可能、あるいは液滴の滴下により半導体層を形成するためのレジスト層を直接形成可能である。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板上にゲート電極が形成され、このゲート電極の上にゲート絶縁層を介して半導体層が形成された薄膜トランジスタ部を備えているTFTアレイ基板において、前記半導体層が液滴の滴下形状をなしていることを特徴とするTFTアレイ基板。

IPC (6)：

H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L21/288 , H01L21/3205 , H01L21/336 , H01L21/768

FI (11)：

H01L29/78 618C , G02F1/1368 , H01L21/288 Z , H01L29/78 617J , H01L29/78 627C , H01L29/78 618A , H01L29/78 616K , H01L29/78 616T , H01L21/88 B , H01L21/88 M , H01L21/90 A

F-Term (162)：

2H092JA26 , 2H092JA38 , 2H092JB51 , 2H092JB57 , 2H092JB69 , 2H092KA08 , 2H092KB05 , 2H092KB14 , 2H092MA07 , 2H092MA10 , 2H092MA13 , 2H092MA37 , 2H092NA22 , 2H092NA27 , 2H092PA09 , 4M104AA01 , 4M104AA08 , 4M104AA10 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB08 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB30 , 4M104BB36 , 4M104BB39 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD08 , 4M104DD09 , 4M104DD16 , 4M104DD22 , 4M104DD43 , 4M104DD51 , 4M104DD55 , 4M104DD65 , 4M104DD78 , 4M104DD81 , 4M104FF17 , 4M104GG04 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104GG20 , 4M104HH04 , 4M104HH20 , 5F033GG01 , 5F033HH05 , 5F033HH08 , 5F033HH09 , 5F033HH11 , 5F033HH12 , 5F033HH14 , 5F033HH17 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH20 , 5F033HH21 , 5F033HH38 , 5F033JJ01 , 5F033JJ05 , 5F033JJ08 , 5F033JJ09 , 5F033JJ11 , 5F033JJ12 , 5F033JJ14 , 5F033JJ17 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ20 , 5F033JJ21 , 5F033JJ38 , 5F033KK05 , 5F033KK08 , 5F033KK09 , 5F033KK11 , 5F033KK12 , 5F033KK17 , 5F033KK18 , 5F033KK19 , 5F033KK20 , 5F033KK21 , 5F033LL04 , 5F033MM19 , 5F033NN12 , 5F033PP06 , 5F033PP26 , 5F033QQ00 , 5F033QQ01 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ11 , 5F033QQ19 , 5F033QQ21 , 5F033QQ37 , 5F033QQ53 , 5F033QQ73 , 5F033QQ89 , 5F033RR04 , 5F033RR09 , 5F033RR27 , 5F033SS22 , 5F033VV10 , 5F033VV15 , 5F033XX00 , 5F033XX01 , 5F033XX03 , 5F033XX28 , 5F033XX32 , 5F033XX33 , 5F033XX34 , 5F110AA16 , 5F110BB01 , 5F110CC07 , 5F110DD02 , 5F110EE02 , 5F110EE06 , 5F110EE25 , 5F110EE42 , 5F110EE47 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG05 , 5F110GG15 , 5F110GG23 , 5F110GG24 , 5F110GG28 , 5F110GG42 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK08 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110HK32 , 5F110HK41 , 5F110HL07 , 5F110HL22 , 5F110HM04 , 5F110NN03 , 5F110NN12 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN35 , 5F110NN37 , 5F110NN45 , 5F110NN49 , 5F110NN52 , 5F110NN72 , 5F110NN73 , 5F110QQ01 , 5F110QQ02 , 5F110QQ09

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (14)

インクジェット印刷を用いた有機半導体デバイスの製造
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2000-529742 Applicant：トラスティーズ・オヴ・プリンストン・ユニヴァーシティ
特開平4-039966
薄膜トランジスタ及びそのアレイ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-184245 Applicant：三洋電機株式会社, 鳥取三洋電機株式会社

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