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J-GLOBAL ID：200903084021396650

デバイスの製造方法、デバイス、電気光学装置及び電子機器

Inventor：
古沢 昌宏

About 古沢 昌宏


Applicant, Patent owner：
セイコーエプソン株式会社

About セイコーエプソン株式会社


Agent (1)： 稲葉 良幸 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002119965
Publication number (International publication number)：2003318192
Application date： Apr. 22, 2002
Publication date： Nov. 07, 2003
Summary：
【要約】【課題】 製造コストを低減することを可能とするデバイスの製造方法を提供すること。【解決手段】 表示装置の画素部100は、ゲート電極13、ゲート絶縁膜16、チャネル領域18及びソース/ドレイン領域22を含む薄膜トランジスタTと、薄膜トランジスタTに電流を供給するソース線26と、画素電極24を含む。この画素回路100を製造する場合に、まずガラス基板10上にゲート電極13、ゲート絶縁膜16及びチャネル領域18を形成する。チャネル領域18等を形成後のガラス基板10上に、ソース/ドレイン領域22、画素電極24、ソース線26の各々を形成すべき領域の外周を壁で囲むポリイミド膜20を形成する。ポリイミド膜20の壁によって囲まれた領域に液体材料を塗布し、熱処理を加えて成膜することにより、ソース/ドレイン領域22などの要素を形成する。
Claim (excerpt)：
少なくともデバイスの一部の要素を、液体材料を使用して成膜するデバイスの製造方法であって、基板上にデバイスを構成する複数の要素の領域を割り当てる工程と、前記複数の要素の領域のうち少なくとも液体材料を使用する要素の領域の外周を壁で囲む隔壁を形成する隔壁形成工程と、前記壁によって囲まれた領域に前記液体材料を塗布し、熱処理を加えて成膜する成膜工程と、を含むデバイスの製造方法。
IPC (4)：
H01L 21/336 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/288 ,  H01L 29/786
FI (6)：
G02F 1/1368 ,  H01L 21/288 M ,  H01L 29/78 616 L ,  H01L 29/78 612 C ,  H01L 29/78 616 V ,  H01L 29/78 618 A
F-Term (62)：
2H092HA04 ,  2H092JA26 ,  2H092KA05 ,  2H092KA07 ,  2H092KA10 ,  2H092KA12 ,  2H092KA18 ,  2H092KB24 ,  2H092MA07 ,  2H092NA25 ,  2H092NA27 ,  2H092RA10 ,  4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD20 ,  4M104DD22 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD51 ,  4M104DD78 ,  4M104DD81 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104GG20 ,  4M104HH14 ,  4M104HH20 ,  5F110AA16 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110CC08 ,  5F110DD02 ,  5F110EE01 ,  5F110EE41 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110EE47 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG15 ,  5F110GG41 ,  5F110GG45 ,  5F110HK01 ,  5F110HK09 ,  5F110HK16 ,  5F110HK31 ,  5F110HL01 ,  5F110HL21 ,  5F110HM17 ,  5F110NN72
Patent cited by the Patent：
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