シリコン系材料のエッチング方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (11)：鈴江武彦 , 蔵田昌俊 , 河野哲 , 中村誠 , 福原淑弘 , 峰隆司 , 白根俊郎 , 村松貞男 , 野河信久 , 砂川克 , 風間鉄也
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2008551860
Publication number (International publication number)：2009524264
Application date： Jan. 23, 2007
Publication date： Jun. 25, 2009
Summary：

エッチングされた表面にカラム又はピラーを形成するために、シリコン基板を小さな局所的領域において選択的にエッチングする方法が記載されている。シリコン基板は、フッ化水素と、銀塩と、アルコールとのエッチング溶液中に保持される。アルコールを含めることは、シリコンカラムのより大きな充填密度を提供する。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

シリコン基板をエッチングする方法であって、シリコン基板を、フッ化物酸又はフッ化物塩と、フッ化物イオンの存在下における金属の前記シリコン上への無電解堆積が可能な金属塩と、アルコールとの水溶液に接触させることを含んだ方法。

IPC (2)：

H01L 21/306 , H01M 4/04

FI (2)：

H01L21/306 B , H01M4/02 112

F-Term (13)：

5F043AA02 , 5F043BB01 , 5F043GG04 , 5H050BA17 , 5H050CB11 , 5H050DA03 , 5H050GA21 , 5H050GA24 , 5H050HA01 , 5H050HA02 , 5H050HA10 , 5H050HA14 , 5H050HA20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-090042 Applicant：三洋電機株式会社
多孔質層付きシリコン基板を製造する方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-419064 Applicant：関西ティー・エル・オー株式会社
多孔質シリコンをエッチングするためのエッチング液、該エッチング液を用いたエッチング方法及び該エッチング液を用いた半導体基材の作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-059118 Applicant：キヤノン株式会社

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