面発光半導体レーザおよびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：前田弘 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997274044
Publication number (International publication number)：1999112088
Application date： Oct. 07, 1997
Publication date： Apr. 23, 1999
Summary：

【要約】【課題】イオン注入および選択酸化を用いながら、低抵抗で低しきい電流を達成し、かつ製造工程が簡単な面発光半導体レーザを提供する。【解決手段】 n形GaAs基板101上に下部ミラー102を形成する。次に、浅いイオン注入を行い、電流狭窄領域となるイオン注入領域108を形成する。その後、SiO2膜マスク109を形成し、SiO2膜マスク109に覆われていない領域の上に活性領域104および上部ミラー105を含んだ積層構造を選択成長させる。

Claim (excerpt)：

活性層を含む活性領域と、前記活性領域を挟む下部ミラーおよび上部ミラーとを備えた面発光半導体レーザであって、電流狭窄領域が前記活性層の下に位置する閉領域を囲むように配置されており、しかも、前記電流狭窄領域はイオンが注入された高抵抗層から形成されていることを特徴とする面発光半導体レーザ。

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

面発光レーザの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-002944 Applicant：日本電気株式会社

Cited by examiner (5)

半導体レーザ装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-080908 Applicant：株式会社リコー
面発光レーザの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-002944 Applicant：日本電気株式会社
面発光半導体レーザ製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-269585 Applicant：日本電信電話株式会社

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