半導体レーザ装置およびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：植本雅治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996080908
Publication number (International publication number)：1997246652
Application date： Mar. 08, 1996
Publication date： Sep. 19, 1997
Summary：

【要約】【課題】素子抵抗を低減でき、かつ、発振閾電流の増加を有効に防止することの可能な面発光型の半導体レーザ装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】この半導体レーザ装置は、n型GaAs基板101上に、n型半導体多層膜反射鏡102,n型AlGaAsクラッド層103,InGaAs歪量子井戸活性層104,p型AlGaAsクラッド層105,p型GaAsコンタクト層106,誘電体多層膜反射鏡107が順次に形成され、また、誘電体多層膜反射鏡107で覆われていない領域のn型クラッド層103の直下に、プロトンイオン注入により半絶縁領域108が形成されており、さらに、誘電体多層膜反射鏡107で覆われていないp型コンタクト層106表面から量子井戸活性層104まで、p型不純物(例えばZn)が注入,拡散され、p型不純物拡散領域109が形成されている。

Claim (excerpt)：

n型半導体基板上に、n型半導体多層膜反射鏡,n型クラッド層,量子井戸活性層,p型クラッド層,p型コンタクト層が形成され、また、p型コンタクト層上には、柱状の誘電体多層膜反射鏡が形成されており、前記誘電体多層膜反射鏡で覆われていない領域のn型クラッド層直下には、半絶縁領域が設けられており、また、前記誘電体多層膜反射鏡で覆われていないp型コンタクト層表面から量子井戸活性層までの領域は、p型不純物が拡散されて無秩序化されたp型不純物拡散領域となっており、また、p型不純物が拡散されたp型コンタクト層上と基板裏面とには、それぞれオーミック電極が形成され、基板に対して垂直方向にレーザ発振するようになっていることを特徴とする半導体レーザ装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

表面放出型半導体レーザの製造方法と、その方法で得られるレーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-359357 Applicant：トムソン-セーエスエフ
特開平4-340288
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-276484 Applicant：株式会社日立製作所

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Cited by examiner (5)

表面放出型半導体レーザの製造方法と、その方法で得られるレーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-359357 Applicant：トムソン-セーエスエフ
特開平4-340288
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-276484 Applicant：株式会社日立製作所

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