半導体レ-ザ素子

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：若林忠 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998061418
Publication number (International publication number)：1999261155
Application date： Mar. 12, 1998
Publication date： Sep. 24, 1999
Summary：

【要約】【課題】 GaAs基板上の半導体レーザで、優れた温度特性を有する1.3μm帯LDを実現するための新しい材料とLD構造を提供する。【解決手段】 GaAs基板上に量子井戸活性層を有する半導体レーザ素子であって、前記活性層を構成する少なくとも1つの半導体層がGaAs<SB>1-X-Y</SB>Sb<SB>X</SB>N<SB></SB><SB>Y</SB>(0<X≦0.3かつ0<Y≦0.015)であることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

活性層を構成する少なくとも1つの半導体層がGaAs<SB>1-X-</SB><SB>Y</SB>Sb<SB>X</SB>N<SB>Y</SB>(0<X≦0.3かつ0<Y≦0.015)であることを特徴とするGaAs基板上に形成された半導体レ-ザ素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-296210 Applicant：株式会社日立製作所
III-V族化合物半導体の積層超格子構造及びそれを用いた発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-051454 Applicant：酒井士郎, シャープ株式会社
半導体の製造方法及び半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-114177 Applicant：株式会社リコー

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