半導体装置

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：石田敬 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999309897
Publication number (International publication number)：2001126484
Application date： Oct. 29, 1999
Publication date： May. 11, 2001
Summary：

【要約】【課題】センスアンプをオーバードライブ方式で駆動してもプリチャージレベルが上昇しない半導体装置の実現。【解決手段】活性化信号twl に応じて一時的に活性化されるセンスアンプと、第1の電圧を発生する第1電源と、第1の電圧より高い第2の電圧を発生する第2電源と、センスアンプの電源に、一定期間のみ第2の電圧を供給し、他の期間は第1の電圧を供給するように切り換える切り換え回路26とを備える半導体装置において、第1電源の発生する第1の電圧が参照電圧以上であるか検出する検出回路35と、第1の電圧が参照電圧以上である時に、センスアンプの活性化中に第1の電圧を引き下げる引き下げ回路37とを備えることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

センスアンプと、第1の電圧を発生する第1電源と、前記第1の電圧より高い第2の電圧を発生する第2電源と、前記センスアンプの電源線に、前記第1の電源又は前記第2の電源を接続する切り換え回路とを備える半導体装置において、前記電源線の電圧が参照電圧以上であるか検出する検出回路と、前記検出回路からの検出信号に応答して、前記電源線の電圧を引き下げる引き下げ回路とを備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

G11C 11/409 , G11C 11/401 , H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (5)：

G11C 11/34 353 E , G11C 11/34 353 F , G11C 11/34 353 C , G11C 11/34 362 H , H01L 27/10 681 E

F-Term (9)：

5B024AA03 , 5B024AA15 , 5B024BA09 , 5B024CA07 , 5B024CA11 , 5F083AD00 , 5F083GA11 , 5F083LA03 , 5F083LA09

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-233392 Applicant：株式会社日立製作所, 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
半導体メモリおよびその製造方法、電圧レギュレータ回路および電圧レギュレータ、電圧調整方法ならびに出力電圧および出力電流生成方法ならびに出力電圧調整方法および半導体記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-345291 Applicant：株式会社日立製作所, テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
半導体メモリ、回路のデータ信号を所望のレベルへ駆動するための装置、第1および第2の信号を所望のレベルへ駆動するための回路、ダイナミックランダムアクセスメモリ構造、データ信号を所望のレベルへ駆動する方法、および第1および第2の信号を所望のレベルへ駆動する方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-321223 Applicant：株式会社日立製作所, テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド

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