半導体メモリ及びこれを備えた半導体装置

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：松本眞吉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998182373
Publication number (International publication number)：2000011656
Application date： Jun. 29, 1998
Publication date： Jan. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】消費電流を低減し、かつ、素子特性劣化が早められるのを防止する。【解決手段】選択制御信号SC0及び*SC0に応答して、センスアンプ活性化用電源電位Viiとセンスアンプ高速活性化用電源電位Vjjとの一方を選択する選択回路26〜28と、バンク活性化信号BA0が非活性のときには電源電位Viiを選択しバンク活性化信号BA0の活性化に応答して電源電位Vjjを所定時間選択するための該選択制御信号を生成する選択制御回路22と、基準電位及び選択回路26〜28で選択された電源電位VH0をセンスアンプ制御信号のアクティブ化に応答してセンスアンプ列に供給するセンスアンプ駆動回路111〜113とを、バンクBNK0〜BNK3の各々に対し備えている。

Claim (excerpt)：

複数のバンクを備え、各バンク内にビット線対間電圧増幅用センスアンプを備えた半導体メモリにおいて、選択制御信号に応答して、該センスアンプを活性化のための第1電源電位と、該第1電源電位を用いた場合よりも高速に該センスアンプを活性化するための第2電源電位との一方を選択する選択回路と、バンク活性化信号の活性化に応答して、該第2電源電位を所定時間選択しその後該第1電源電位を選択するための該選択制御信号を生成する選択制御回路と、該選択回路で選択された電源電位を、センスアンプ制御信号の活性化に応答して該センスアンプに供給するセンスアンプ駆動回路とを、該複数のバンクの各々に対し備えていることを特徴とする半導体メモリ。

IPC (3)：

G11C 11/409 , G11C 11/41 , G11C 11/401

FI (3)：

G11C 11/34 353 E , G11C 11/34 301 E , G11C 11/34 362 H

F-Term (13)：

5B015HH01 , 5B015JJ03 , 5B015KB12 , 5B015KB18 , 5B015KB22 , 5B015NN03 , 5B015PP01 , 5B015QQ01 , 5B024AA01 , 5B024AA04 , 5B024BA09 , 5B024CA07 , 5B024CA16

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-098694 Applicant：株式会社日立製作所
半導体記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-164574 Applicant：三菱電機株式会社
センスアンプ制御回路及びセンスアンプ制御方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-049379 Applicant：富士通株式会社

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