p型窒化物化合物半導体の作製方法及び半導体デバイス

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：絹谷信雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001117063
Publication number (International publication number)：2002313738
Application date： Apr. 16, 2001
Publication date： Oct. 25, 2002
Summary：

【要約】【課題】 p型不純物を添加した窒化物化合物半導体層を成長させつつp型化させ、低コストかつ高性能なp型窒化物化合物半導体の作製方法及び半導体デバイスを提供することにある。【解決手段】 p型不純物を添加して構成される窒化物化合物半導体1を、有機金属気相成長法を用いて成長圧力P1 が400hPa以上の状態で成長させることにより、低抵抗なp型窒化物化合物半導体層2となすものである。

Claim (excerpt)：

p型不純物を添加して構成される窒化物化合物半導体を、有機金属気相成長法を用いて成長圧力が400hPa以上の状態で成長させることにより、低抵抗なp型窒化物化合物半導体層となすことを特徴とするp型窒化物化合物半導体の作製方法。

IPC (2)：

H01L 21/205 , H01L 33/00

FI (2)：

H01L 21/205 , H01L 33/00 C

F-Term (23)：

5F041AA21 , 5F041AA41 , 5F041CA46 , 5F041CA57 , 5F041CA65 , 5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AC19 , 5F045AD09 , 5F045AD14 , 5F045AD15 , 5F045AE25 , 5F045AF09 , 5F045BB08 , 5F045BB12 , 5F045CA10 , 5F045CA12 , 5F045DA53 , 5F045DA66 , 5F045EE12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

3-5族化合物半導体の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-066254 Applicant：住友化学工業株式会社
3-5族化合物半導体の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-189337 Applicant：住友化学工業株式会社
p型III族窒化物半導体とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-266361 Applicant：科学技術振興事業団

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