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J-GLOBAL ID：200903024057860717

半導体集積回路装置およびその製造方法

Inventor： 今井 俊則 ,  野口 純司 ,  大橋 直史 ,  齋藤 達之 ,  山口 日出 ,  藤原 剛
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 筒井 大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998324594
Publication number (International publication number)：2000150517
Application date： Nov. 16, 1998
Publication date： May. 30, 2000
Summary：

【要約】【課題】 Cu配線を有する半導体集積回路装置の信頼度を向上することのできる技術を提供する。【解決手段】 ダマシンプロセスでCu配線M1 を形成した後、半導体基板1に減圧状態においてシラン系ガス雰囲気中で約350°Cの熱処理を施し、Cu配線M1 の表面に選択的にシリサイド層(CuSix )6を形成する。このシリサイド層6によって、Cu配線M1 からのCuの拡散を防ぎ、また、Cu配線M1 とCu配線M1 の上層に形成される窒化シリコン膜7との接着性を向上させる。

Claim (excerpt)：

第1層間絶縁膜の上層に第2層間絶縁膜が形成され、前記第1層間絶縁膜に溝パターンが形成され、前記溝パターンにCu配線が埋め込まれた半導体集積回路装置であって、前記Cu配線の表面にシリサイド層が形成されていることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (2)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/318

FI (4)：

H01L 21/88 M ,  H01L 21/318 B ,  H01L 21/88 K ,  H01L 21/88 Q

F-Term (51)：

5F033HH11 ,  5F033HH21 ,  5F033HH25 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033KK11 ,  5F033KK21 ,  5F033KK25 ,  5F033KK32 ,  5F033KK33 ,  5F033KK34 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM05 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ24 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ70 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ85 ,  5F033QQ94 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR09 ,  5F033RR11 ,  5F033RR15 ,  5F033RR25 ,  5F033SS04 ,  5F033SS15 ,  5F033TT02 ,  5F033WW02 ,  5F033WW05 ,  5F033WW09 ,  5F033XX01 ,  5F033XX09 ,  5F033XX14 ,  5F033XX20 ,  5F058BA10 ,  5F058BD01 ,  5F058BD04 ,  5F058BD10 ,  5F058BF07 ,  5F058BF25 ,  5F058BJ02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-137144   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-210624   Applicant：株式会社東芝
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-235164   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-343495   Applicant：三菱電機株式会社