金属化合物薄膜の形成方法および成膜装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：臼村文男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998073166
Publication number (International publication number)：1999256327
Application date： Mar. 05, 1998
Publication date： Sep. 21, 1999
Summary：

【要約】【課題】特性の安定した金属化合物薄膜を、薄膜にダメージを与えることを防止して、低温基板温度で高速に形成する。【解決手段】真空槽内で基板上に金属ないし金属の不完全反応物からなる金属超薄膜を形成する工程と、この金属超薄膜に電気的に中性な反応性ガスの活性種を接触せしめ、金属超薄膜と反応性ガスの活性種とを反応せしめて金属化合物超薄膜に変換せしめる工程とを順次繰り返し、金属化合物超薄膜を複数層形成・堆積することにより、目的とする膜厚の金属化合物薄膜を基板上に形成する金属化合物薄膜の形成方法。

Claim (excerpt)：

真空槽内で基板上に金属ないし金属の不完全反応物からなる金属超薄膜を形成する工程と、この金属超薄膜に電気的に中性な反応性ガスの活性種を接触せしめ、金属超薄膜と反応性ガスの活性種とを反応せしめて金属化合物超薄膜に変換せしめる工程とを順次繰り返し、金属化合物超薄膜を複数層形成・堆積することにより、目的とする膜厚の金属化合物薄膜を基板上に形成することを特徴とする金属化合物薄膜の形成方法。

IPC (4)：

C23C 14/35 , C23C 14/24 , C23C 14/58 , H05H 1/46

FI (4)：

C23C 14/35 Z , C23C 14/24 S , C23C 14/58 Z , H05H 1/46 L

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

特開昭63-057762
薄膜超電導体の製造方法及びその製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-075573 Applicant：松下電器産業株式会社
特開昭63-219573

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