F2レーザ

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：石田敬 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001184007
Publication number (International publication number)：2002084026
Application date： Jun. 18, 2001
Publication date： Mar. 22, 2002
Summary：

【要約】【課題】効率を向上させた、輝線選択とその選択された輝線の狭線幅化、及び波長制御を有する分子フッ素(F2)レーザを実現する。【解決手段】 F2レーザには、1次輝線と2次輝線とを含む157nmと158nmの間の波長範囲内のスペクトル放出を発生するための分子フッ素を含むガス混合物で充填された放電チャンバと、上記の分子フッ素に電圧を印加するパルス放電を生成するための電源回路に結合される多数の電極と、上記の放電チャンバと干渉計装置を含み1pm未満の帯域幅を有するレーザ・ビームを発生する共振器と、フィードバック・ループ中でプロセッサと結合されレーザ・ビームのスペクトル分布を監視するための波長監視装置とが含まれる。上記のプロセッサは、スペクトル分布中の側波帯がほぼ最小化されるように、上記の監視されたスペクトル分布に基づいて上記の干渉計装置の干渉スペクトルを制御する。

Claim (excerpt)：

F2レーザであって、1次輝線と2次輝線とを含む157nmと158nmの間の波長範囲内の複数の緊密な間隔の輝線を含むスペクトル放出を発生するための分子フッ素を含むガス混合物で充填された放電チャンバと、前記分子フッ素に電圧を印加するパルス放電を生成するための電源回路に結合される複数の電極と、1pm未満の帯域幅を有するレーザ・ビームを発生するための、前記放電チャンバと、透過型干渉計装置と、1対の共振反射器とを含む共振器であって、前記干渉計装置が、前記2次輝線と前記1次輝線の非選択部分とをほぼ抑制するように、前記1次輝線の選択された部分の透過率を最大にし前記2次輝線と前記1次輝線の前記非選択部分との透過率を比較的低くするように構成され、それによって前記F2レーザが、狭帯域VUVレーザ・ビームを提供するために、自走F2レーザの前記1次輝線の帯域幅より狭いスペクトル帯域幅を有する単一波長レーザ・ビームを放出するように前記1次輝線を選択及び狭線幅化する共振器と、を具備するF2レーザ。

IPC (2)：

H01S 3/225 , H01S 3/137

FI (2)：

H01S 3/137 , H01S 3/223 E

F-Term (14)：

5F071AA06 , 5F071HH02 , 5F071HH07 , 5F071JJ02 , 5F071JJ05 , 5F072AA06 , 5F072HH02 , 5F072JJ02 , 5F072JJ05 , 5F072KK06 , 5F072KK08 , 5F072MM08 , 5F072RR05 , 5F072YY08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

分子フッ素(F2)レーザおよびF2レーザの出力ビーム発生方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-033019 Applicant：ラムダ・フィジーク・ゲゼルシャフト・ツァ・ヘルシュテルンク・フォン・ラーゼルン・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング
超狭帯域化フッ素レーザ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-169758 Applicant：株式会社小松製作所
スペクトル線の選択が可能なF2レ-ザ-装置及びスペクトル線の選択方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-158517 Applicant：ラムダ・フィジック・ゲゼルシャフト・ジュル・ハーステルラング・フォン・ラゼルン・エムベーハー

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