半導体装置およびその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：花輪義男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000109178
Publication number (International publication number)：2001291733
Application date： Apr. 11, 2000
Publication date： Oct. 19, 2001
Summary：

【要約】【課題】 CSPにおいて、突起電極と半田ボールとの接合強度を強くする。【解決手段】突起電極6は、その上面が封止膜7の上面と面一とされた下部電極6aと該下部電極6a上に設けられた上部電極6bとからなっている。上部電極6bの平面形状は、下部電極6aの平面形状よりも大きくなっている。したがって、上部電極6bの表面積、つまり半田ボール24との接合面積は、下部電極6aの上面の面積よりも大きくなる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成された突起電極と、前記半導体基板上の前記突起電極を除く領域に形成された封止膜とを具備する半導体装置において、前記突起電極は、その上面が前記封止膜の上面と面一とされた下部電極と該下部電極上に形成された上部電極とからなることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/60 , H01L 21/56 , H01L 23/12

FI (4)：

H01L 21/56 E , H01L 21/92 602 F , H01L 21/92 602 H , H01L 23/12 L

F-Term (4)：

5F061AA01 , 5F061BA07 , 5F061CA10 , 5F061CB13

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

樹脂封止型半導体パッケージおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-130802 Applicant：三菱電機株式会社
ウエハ装置およびチップ装置並びにチップ装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-233975 Applicant：松下電器産業株式会社
半導体素子とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-016959 Applicant：旭化成電子株式会社, 旭化成工業株式会社

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