半導体装置の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：前田弘 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002322755
Publication number (International publication number)：2003234325
Application date： Nov. 06, 2002
Publication date： Aug. 22, 2003
Summary：

【要約】【課題】熱処理等によって表面が変質した絶縁性金属酸化膜をウェットエッチングによって確実に除去できるようにする。【解決手段】 HfO2 膜12が堆積されたシリコン基板11に対して熱処理を行なった後、熱処理後のHfO2 膜12aの表面をプラズマに暴露し、その後、熱処理後のHfO2 膜12aの表面部、つまりダメージ層12bをウェットエッチングにより除去する。

Claim (excerpt)：

金属酸化膜が堆積された基板に対して熱処理を行なう第1の工程と、前記熱処理が行なわれた前記金属酸化膜の表面をプラズマに暴露する第2の工程と、前記プラズマに暴露された前記金属酸化膜の少なくとも表面部をウェットエッチングにより除去する第3の工程とを備えていることを特徴とするウェットエッチング方法。

IPC (3)：

H01L 21/306 , H01L 21/336 , H01L 29/78

FI (3)：

H01L 21/306 D , H01L 29/78 301 G , H01L 29/78 301 P

F-Term (40)：

5F043AA37 , 5F043BB25 , 5F043DD02 , 5F043GG10 , 5F140AA00 , 5F140AA24 , 5F140AA39 , 5F140BA01 , 5F140BD11 , 5F140BD12 , 5F140BE09 , 5F140BE10 , 5F140BE14 , 5F140BE17 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF07 , 5F140BG03 , 5F140BG04 , 5F140BG08 , 5F140BG09 , 5F140BG11 , 5F140BG12 , 5F140BG14 , 5F140BG22 , 5F140BG36 , 5F140BG38 , 5F140BG40 , 5F140BG52 , 5F140BG53 , 5F140BH14 , 5F140BJ01 , 5F140BJ08 , 5F140BK02 , 5F140BK05 , 5F140BK13 , 5F140BK34 , 5F140CB04 , 5F140CC03 , 5F140CE07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

特開平3-050825
薄膜のエッチング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-284166 Applicant：株式会社日立製作所
特開昭59-027528

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