窒化物半導体素子

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999113051
Publication number (International publication number)：2000307149
Application date： Apr. 21, 1999
Publication date： Nov. 02, 2000
Summary：

【要約】【課題】 Vfを低下することが可能な窒化物半導体素子を提供することである。【解決手段】活性層7が、井戸層にInを含んでなる量子井戸構造であり、該活性層7上に順に、Alを含んでなる第1の窒化物半導体層と該第1の窒化物半導体層と異なる組成を有する第2の窒化物半導体層とが積層されてなり更に第1及び第2の窒化物半導体層の少なくとも一方にp型不純物を含有してなるp型多層膜層8又はAlGaNを含んでなりp型不純物を含有するp型単一膜層8と、前記p型多層膜層8及びp型単一膜層8より高濃度でp型不純物を含有するp型高濃度ドープ層10と、前記p型多層膜層8及びp型単一膜層8より高濃度で且つ前記p型高濃度ドープ層10より低濃度でp型不純物を含有するp型コンタクト層11を少なくとも有する。

Claim (excerpt)：

基板上に、少なくともn型窒化物半導体層、活性層及びp型窒化物半導体層を順に有する窒化物半導体素子において、前記活性層が、井戸層にInを有する窒化物半導体を含んでなる量子井戸構造であり、該活性層上に、Alを含んでなる第1の窒化物半導体層と、該第1の窒化物半導体層と異なる組成を有する第2の窒化物半導体層とが積層されてなり、さらに前記第1の窒化物半導体層及び第2の窒化物半導体層の少なくとも一方にp型不純物を含有してなるp型多層膜層、該p型多層膜層上に、前記p型多層膜層のp型不純物濃度より高濃度でp型不純物を含有するp型高濃度ドープ層、該p型高濃度ドープ層上に、前記p型多層膜層のp型不純物濃度より高濃度で且つ前記p型高濃度ドープ層のp型不純物濃度より低濃度でp型不純物を含有するp型コンタクト層を、少なくとも順に有することを特徴とする窒化物半導体素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01S 5/343

FI (2)：

H01L 33/00 C , H01S 3/18 677

F-Term (11)：

5F041AA43 , 5F041CA05 , 5F041CA40 , 5F041CA48 , 5F041CA57 , 5F041CA65 , 5F073CA07 , 5F073CB05 , 5F073DA05 , 5F073DA25 , 5F073EA28

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

化合物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-166174 Applicant：昭和電工株式会社
窒化物半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-187070 Applicant：日亜化学工業株式会社
3族窒化物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-252896 Applicant：豊田合成株式会社, 株式会社豊田中央研究所

Show all

Cited by examiner (4)

化合物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-166174 Applicant：昭和電工株式会社
窒化物半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-187070 Applicant：日亜化学工業株式会社
3族窒化物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-252896 Applicant：豊田合成株式会社, 株式会社豊田中央研究所

Show all

Return to Previous Page