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J-GLOBAL ID：200903024635601975

窒化物半導体素子

Inventor：
堺 智映

About 堺 智映


Applicant, Patent owner：
日亜化学工業株式会社

About 日亜化学工業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999113051
Publication number (International publication number)：2000307149
Application date： Apr. 21, 1999
Publication date： Nov. 02, 2000
Summary：
【要約】【課題】 Vfを低下することが可能な窒化物半導体素子を提供することである。【解決手段】 活性層7が、井戸層にInを含んでなる量子井戸構造であり、該活性層7上に順に、Alを含んでなる第1の窒化物半導体層と該第1の窒化物半導体層と異なる組成を有する第2の窒化物半導体層とが積層されてなり更に第1及び第2の窒化物半導体層の少なくとも一方にp型不純物を含有してなるp型多層膜層8又はAlGaNを含んでなりp型不純物を含有するp型単一膜層8と、前記p型多層膜層8及びp型単一膜層8より高濃度でp型不純物を含有するp型高濃度ドープ層10と、前記p型多層膜層8及びp型単一膜層8より高濃度で且つ前記p型高濃度ドープ層10より低濃度でp型不純物を含有するp型コンタクト層11を少なくとも有する。
Claim (excerpt)：
基板上に、少なくともn型窒化物半導体層、活性層及びp型窒化物半導体層を順に有する窒化物半導体素子において、前記活性層が、井戸層にInを有する窒化物半導体を含んでなる量子井戸構造であり、該活性層上に、Alを含んでなる第1の窒化物半導体層と、該第1の窒化物半導体層と異なる組成を有する第2の窒化物半導体層とが積層されてなり、さらに前記第1の窒化物半導体層及び第2の窒化物半導体層の少なくとも一方にp型不純物を含有してなるp型多層膜層、該p型多層膜層上に、前記p型多層膜層のp型不純物濃度より高濃度でp型不純物を含有するp型高濃度ドープ層、該p型高濃度ドープ層上に、前記p型多層膜層のp型不純物濃度より高濃度で且つ前記p型高濃度ドープ層のp型不純物濃度より低濃度でp型不純物を含有するp型コンタクト層を、少なくとも順に有することを特徴とする窒化物半導体素子。
IPC (2)：
H01L 33/00 ,  H01S 5/343
FI (2)：
H01L 33/00 C ,  H01S 3/18 677
F-Term (11)：
5F041AA43 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA48 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073DA05 ,  5F073DA25 ,  5F073EA28
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
  • 化合物半導体発光素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-166174   Applicant：昭和電工株式会社
  • 窒化物半導体素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-187070   Applicant：日亜化学工業株式会社
  • 3族窒化物半導体発光素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-252896   Applicant：豊田合成株式会社, 株式会社豊田中央研究所
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