化合物半導体発光素子

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：矢口平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997166174
Publication number (International publication number)：1999017222
Application date： Jun. 23, 1997
Publication date： Jan. 22, 1999
Summary：

【要約】【課題】ダブルヘテロ接合構造を有する化合物半導体発光素子において、n形発光層の直上に直接配置するp形接合層から熱拡散により侵入するアクセプター不純物によるn形発光層の伝導形の変化(反転)と界面特性の不安定性が、発光強度等の素子特性の向上の妨げとなっている点を解決する。【解決手段】インジウムを含有するIII 族窒化物半導体からなるn形発光層と、該n形発光層の上に配置されたp形のIII 族窒化物半導体層との中間に、n形発光層に接してn形のIII 族窒化物半導体からなる介在層、且つ、前記介在層とp形のIII 族窒化物半導体層との中間に、p形のIII 族窒化物半導体からなる中間層を配置する。

Claim (excerpt)：

n形発光層と、該n形発光層の上下にそれぞれ配置したn形及びp形のIII 族窒化物半導体層とから構成されるダブルヘテロ接合構造を発光部とする化合物半導体素子に於いて、n形発光層がインジウムを含有するIII 族窒化物半導体からなり、該n形発光層とp形層との中間に、n形発光層に接してn形のIII 族窒化物半導体からなる介在層を有し、且つ、前記介在層とp形のIII 族窒化物半導体層との中間に、p形のIII 族窒化物半導体からなる中間層を有することを特徴とする化合物半導体発光素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

p型ドーパント材料拡散防止層付き窒化ガリウム系発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-005231 Applicant：日本電気株式会社
窒化ガリウム系半導体発光素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-105515 Applicant：シャープ株式会社
半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-280692 Applicant：昭和電工株式会社

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