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J-GLOBAL ID：200903031121737785

半導体発光素子

Inventor： 石橋 明彦 ,  伴 雄三郎 ,  粂 雅博 ,  原 義博 ,  木戸口 勲 ,  辻村 歩 ,  長谷川 義晃 ,  上山 智
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997227835
Publication number (International publication number)：1999068252
Application date： Aug. 25, 1997
Publication date： Mar. 09, 1999
Summary：

【要約】【課題】 第一、第二コンタクト層という2つのコンタクト層を用いつつ、活性層にMgを拡散させることなく、コンタクト抵抗を低減し、さらに第二コンタクト層内のホール濃度を最大限に高めた半導体素子を提供することを目的とする。【解決手段】 p-GaN第一コンタクト層10と第一コンタクト層よりも活性層側に存在するp-GaN第二コンタクト層9という2つのコンタクト層を有するGaN半導体発光素子において、第一コンタクト層の膜厚を0.1μm以上1.0μm以下とする。これにより、第一コンタクト層が十分な膜厚を有することになり、第一コンタクト層から第二コンタクト層へのアクセプター不純物の拡散を容易に行うことができる。

Claim (excerpt)：

0.1μm以上1.0μm以下の膜厚を有するとともにp電極と接触する第一コンタクト層と、前記第一コンタクト層と接するとともに前記第一コンタクト層より活性層側に形成された第二コンタクト層とを有する半導体発光素子であって、前記第一コンタクト層に前記第二コンタクト層よりも高濃度にアクセプター不純物がドーピングされていることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• 3族窒化物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-338114   Applicant：豊田合成株式会社, 赤崎勇, 天野浩
• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-157219   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 3族窒化物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-252896   Applicant：豊田合成株式会社, 株式会社豊田中央研究所
• 窒化物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-317844   Applicant：日亜化学工業株式会社

Cited by examiner (4)

• 3族窒化物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-338114   Applicant：豊田合成株式会社, 赤崎勇, 天野浩
• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-157219   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 3族窒化物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-252896   Applicant：豊田合成株式会社, 株式会社豊田中央研究所
• 窒化物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-317844   Applicant：日亜化学工業株式会社