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J-GLOBAL ID：200903024954819916

発光ダイオード

Inventor： 今井 貞人 ,  菊池 悟
Applicant, Patent owner： シチズン電子株式会社
Agent (1)： 浅川 哲
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004182403
Publication number (International publication number)：2006005290
Application date： Jun. 21, 2004
Publication date： Jan. 05, 2006
Summary：

【課題】 発熱による電力損失を抑えることで、高輝度発光を可能とすると共に、実装基板の上面及び下面のいずれの面にも実装することができる高輝度タイプの発光ダイオードを提供することである。【解決手段】 ダイボンド用の実装面22aを有する高熱伝導性の放熱基台22と、この放熱基台22上に載置され、前記実装面22aの一部を露出する孔部27及び前記放熱基台22の外周縁より外方に張り出す張出部29を有する回路基板24と、前記孔部27を通して前記実装面22a上に実装される発光素子23と、この発光素子23の上方を封止する透光性の樹脂体25とを備え、前記張出部29の外周縁に前記発光素子23と導通するスルーホール28を形成し、このスルーホール28の上面及び下面に外部接続電極28a,28bを設けた。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

ダイボンド用の実装面を有する高熱伝導性の放熱基台と、この放熱基台上に載置され、前記実装面の一部を露出する孔部及び前記放熱基台の外周縁より外方に張り出す張出部を有する回路基板と、前記孔部を通して前記実装面上に実装される発光素子と、この発光素子の上方を封止する透光性の樹脂体とを備え、 前記張出部の外周縁に前記発光素子と導通するスルーホールを形成し、このスルーホールの上面及び下面に外部接続電極を設けたことを特徴とする発光ダイオード。

IPC (1)：

H01L 33/00

FI (1)：

H01L33/00 N

F-Term (7)：

5F041AA33 ,  5F041DA20 ,  5F041DA33 ,  5F041DA34 ,  5F041DA35 ,  5F041DA74 ,  5F041DA78

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 表面実装LEDとその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-122733   Applicant：スタンレー電気株式会社
• 表面実装型発光素子およびそれを用いた発光装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-050887   Applicant：日亜化学工業株式会社

Cited by examiner (4)

• 発光装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-109709   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 半導体発光装置及びこれを用いた照明用発光装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-009721   Applicant：松下電器産業株式会社
• 発光装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-340832   Applicant：松下電工株式会社
• 表面実装型チップ部品及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-245927   Applicant：株式会社シチズン電子