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J-GLOBAL ID：200903025130275549

ダイヤモンド単結晶基板及び、その製造方法

Inventor： 泉 健二 ,  目黒 貴一 ,  今井 貴浩
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (4)： 酒井 正己 ,  加々美 紀雄 ,  小松 純 ,  小松 秀岳
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007013858
Publication number (International publication number)：2008179505
Application date： Jan. 24, 2007
Publication date： Aug. 07, 2008
Summary：

【課題】半導体用途にも使用できる高品質なダイヤモンド単結晶基板を短時間でコストを下げて製造する方法を提供する。【解決手段】窒素原子含有量の異なる2つ以上の層からなり、少なくとも炭素原子に対する窒素原子含有量が0ppm以上10ppm以下の層、及び5ppm以上100ppm以下である層を有し、かつ0ppm以上10ppm以下の層より5ppm以上100ppm以下の層の窒素原子含有量が多いダイヤモンド単結晶基板であって、これらの層は気相合成法において窒素原子を含むガスの導入量を調整することにより形成される。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

ダイヤモンド単結晶基板において、気相合成法で得られる窒素原子含有量の異なる二以上の層からなり、少なくとも炭素原子に対する窒素原子含有量が0ppm以上10ppm以下の層、及び5ppm以上100ppm以下である層を有し、かつ前記0ppm以上10ppm以下の層より前記5ppm以上100ppm以下の層の方が窒素原子含有量が多いことを特徴とするダイヤモンド単結晶基板。

IPC (3)：

C30B 29/04 ,  C23C 16/27 ,  C23C 16/511

FI (3)：

C30B29/04 R ,  C23C16/27 ,  C23C16/511

F-Term (19)：

4G077AA02 ,  4G077BA03 ,  4G077DB01 ,  4G077DB12 ,  4G077DB19 ,  4G077EA06 ,  4G077EB01 ,  4G077EF03 ,  4G077HA01 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077TB07 ,  4G077TC03 ,  4G077TC13 ,  4G077TC14 ,  4K030AA09 ,  4K030BA28 ,  4K030BB02 ,  4K030FA01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• 特開平3-75298号公報
  
• 合成ダイヤモンドを生成するためのシステム及び方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2003-519552   Applicant：アポロダイアモンド,インコーポレイティド
• ダイヤモンド製造用装置及び方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2003-542679   Applicant：カーネギーインスチチューションオブワシントン, ザユーエイビーリサーチファンデーション
• ダイヤモンド薄板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-024033   Applicant：住友電気工業株式会社

Cited by examiner (3)

• ダイヤモンド薄板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-024033   Applicant：住友電気工業株式会社
• ダイヤモンド半導体の製造方法及びダイヤモンド半導体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-121854   Applicant：住友電気工業株式会社
• 半導体ダイヤモンド
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-148391   Applicant：川崎製鉄株式会社