発光ダイオード

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：長谷川曉司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996217339
Publication number (International publication number)：1998065211
Application date： Aug. 19, 1996
Publication date： Mar. 06, 1998
Summary：

【要約】【課題】光の取出し効率の向上した高出力の発光ダイオードを工業的有利に提供する。【解決手段】 GaP基板上にGaAs<SB>1-x</SB>P<SB>x</SB>(0.45<x<1)エピタキシャsル層を有してなるPN接合型発光ダイオードであって、GaP基板が上面となる構造とする。

Claim (excerpt)：

GaP基板上にGaAs<SB>1-x</SB> P<SB>x</SB> (0.45<x<1)エピタキシャル層を有してなるPN接合型発光ダイオードであって、GaP基板が上面となる構造としたことを特徴とする発光ダイオード。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

光半導体デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-060948 Applicant：スタンレー電気株式会社
発光ダイオード
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-218470 Applicant：三菱化学株式会社
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-100215 Applicant：日亜化学工業株式会社

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