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J-GLOBAL ID：200903025226146405

スパッタリングターゲット、並びに接合型スパッタリングターゲット及びその作製方法

Inventor： 新田 純一 ,  伊藤 隆治 ,  松本 博 ,  伊藤 学
Applicant, Patent owner： アルバックマテリアル株式会社
Agent (1)： 特許業務法人エクシオ
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006124829
Publication number (International publication number)：2007297654
Application date： Apr. 28, 2006
Publication date： Nov. 15, 2007
Summary：

【課題】Au、Cuなどの金属又はこれらのうち少なくとも一種を含む合金からなる膜と密着性がよく、また、耐食性があって、異常放電が少ない膜を形成できるとともに、大型基板に成膜可能なスパッタリングターゲットの提供。【解決手段】基板上にMo-Ti合金膜を形成するためのスパッタリングターゲットにおいて、Tiを50原子%より高く、60原子%以下含有し、残部Mo及び不可避的不純物からなり、相対密度が98%以上であることを特徴とするスパッタリングターゲット、並びにこれを2以上拡散接合した少なくともその一辺が1000mm以上である接合型スパッタリングターゲット及び接合型スパッタリングターゲットの作製方法。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板上にMo-Ti合金膜を形成するためのスパッタリングターゲットにおいて、Tiを50原子%より高く、60原子%以下含有し、残部Mo及び不可避的不純物からなり、相対密度が98%以上であることを特徴とするスパッタリングターゲット。

IPC (4)：

C23C 14/34 ,  C22C 14/00 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/28

FI (4)：

C23C14/34 A ,  C22C14/00 Z ,  H01L21/285 S ,  H01L21/28 301R

F-Term (13)：

4K029AA02 ,  4K029BA21 ,  4K029BC01 ,  4K029BD01 ,  4K029CA05 ,  4K029DC04 ,  4K029DC08 ,  4K029DC09 ,  4K029DC39 ,  4M104BB14 ,  4M104BB38 ,  4M104DD37 ,  4M104DD40

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 薄膜形成用スパッタリングターゲット
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-272745   Applicant：日立金属株式会社

Cited by examiner (5)

• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-170285   Applicant：ヤマハ株式会社
• スパッタリングターゲットとその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-334898   Applicant：株式会社東芝
• IrMn系合金成膜用ターゲット、その製造方法およびそれを用いた反強磁性膜
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-051669   Applicant：日立金属株式会社
• 薄膜形成用スパッタリングターゲット
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-272745   Applicant：日立金属株式会社
• 構造体、電子放出素子、2次電池、電子源、画像表示装置、情報表示再生装置及びそれらの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-299769   Applicant：キヤノン株式会社