誘電性ギャップ充填のためのプロセスチャンバ

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：長谷川芳樹 , 山田行一 , 池田成人
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2009513438
Publication number (International publication number)：2009539269
Application date： May. 30, 2007
Publication date： Nov. 12, 2009
Summary：

誘電前駆物質のプラズマから基板上に誘電体層を形成するシステムを記載する。システムには、堆積チャンバと、基板を保持する堆積チャンバ内の基板台と、堆積チャンバに結合した遠隔プラズマ生成システムであって、プラズマ生成システムが、一つ以上の反応性ラジカルを有する誘電前駆物質を生成するために用いられる、前記遠隔プラズマ生成システムとが含まれるのがよい。システムには、また、基板台の上に位置決めされたデュアルチャネルシャワーヘッドを備える前駆物質分配システムが含まれてもよい。シャワーヘッドは、反応性ラジカル前駆物質が堆積チャンバに入る第一組の開口部と、第二誘電前駆物質が堆積チャンバに入る第二組の開口部を有するフェースプレートを備えるのがよい。堆積チャンバに供給される誘電前駆物質から堆積チャンバ内でプラズマを生成させるインサイチュプラズマ生成システムが含まれてもよい。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

誘電前駆物質のプラズマから基板上に誘電体層を形成するシステムであって: 堆積チャンバと; 該基板を保持する該堆積チャンバ内の基板台と; 該堆積チャンバに結合した遠隔プラズマ生成システムであって、該プラズマ生成システムが、反応性ラジカルを含む第一誘電前駆物質を生成するために用いられる、前記遠隔プラズマ生成システムと; 該基板台の上に位置決めされたデュアルチャネルシャワーヘッドを備える前駆物質分配システムであって、該シャワーヘッドが、該反応性ラジカル前駆物質が該堆積チャンバに入る第一組の開口部と、第二誘電前駆物質が該堆積チャンバに入る第二組の開口部を有するフェースプレートを備え、該前駆物質が該堆積チャンバに入るまで混合されない、前記前駆物質分配システム。

IPC (5)：

H01L 21/31 , H01L 21/683 , C23C 16/455 , C23C 16/46 , C23C 16/50

FI (5)：

H01L21/31 C , H01L21/68 N , C23C16/455 , C23C16/46 , C23C16/50

F-Term (52)：

4K030AA06 , 4K030AA14 , 4K030BA44 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030EA04 , 4K030FA01 , 4K030GA04 , 4K030JA10 , 4K030LA02 , 4K030LA15 , 5F031CA02 , 5F031HA13 , 5F031HA37 , 5F031HA38 , 5F031HA58 , 5F031HA59 , 5F031MA28 , 5F031MA30 , 5F045AA08 , 5F045AB32 , 5F045AC01 , 5F045AC07 , 5F045AC11 , 5F045AD03 , 5F045AD04 , 5F045AD05 , 5F045AE17 , 5F045AE19 , 5F045AE21 , 5F045AE23 , 5F045AE25 , 5F045AF03 , 5F045BB09 , 5F045CB05 , 5F045DP03 , 5F045DP28 , 5F045DQ10 , 5F045DQ17 , 5F045EB08 , 5F045EE01 , 5F045EE20 , 5F045EF01 , 5F045EF05 , 5F045EF08 , 5F045EH13 , 5F045EH18 , 5F045EH19 , 5F045EJ02 , 5F045EK07 , 5F045EM02 , 5F045EN04

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

特開平3-197684
真空処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-076168 Applicant：アネルバ株式会社, 日本電気株式会社
表面波励起プラズマCVD装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-379035 Applicant：株式会社島津製作所

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Cited by examiner (6)

特開平3-197684
真空処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-076168 Applicant：アネルバ株式会社, 日本電気株式会社
表面波励起プラズマCVD装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-379035 Applicant：株式会社島津製作所

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