半導体製造装置および半導体製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (6)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 蔵田昌俊 , 村松貞男 , 橋本良郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004113547
Publication number (International publication number)：2005302848
Application date： Apr. 07, 2004
Publication date： Oct. 27, 2005
Summary：

【課題】アスペクト比の高い凹部に対する優れた埋め込み特性を有する半導体製造装置および半導体製造方法を提供すること。【解決手段】絶縁性を有する材料により基板の縁部に沿う環形状をなしその内縁部がその外側の部分よりも高く形成され内縁部の上面が基板の成膜が施される側の主面と同等以下の高さに配置されるリングを設けた基板ホルダ4と、表面反応に必要な第1イオン種を生成する化合物ガスのみからなる第1のガスを反応室内に導入する第1ノズル801と、前記基板の表面に平行方向の噴射方向を有し、前記第1ノズルよりも本数が少なく、前記成膜若しくはエッチングされる物質に対するスパッタ効率が前記第1イオン種より高い第2イオン種を生成する原料、若しくは前記基板の表面反応に必要なラジカル種を生成する原料となる第2のガスを前記反応室内に導入する第2ノズル901とを備え、前記第1ノズルおよび前記第2のノズルの少なくとも一方からHeガスを前記反応室内に導入する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

プラズマを用いた表面反応により、基板上に成膜若しくは基板をエッチングする装置であって、真空排気可能な反応室と、前記基板を配置するために前記反応室内に配置され、絶縁性を有する材料により前記基板の縁部に沿う環形状をなしその内縁部がその外側の部分よりも高く形成されているとともに前記内縁部の上面が前記基板の前記成膜が施される側の主面と同等以下の高さに配置されるリング本体を設けた基板ホルダと、前記反応室の側壁部に根本部が配置され、前記側壁部から前記反応室の頂部方向に噴射方向が設定され、前記表面反応に必要な第1イオン種を生成する化合物ガスのみから実質的になる第1のガスを前記反応室内に導入するための複数本の第1ノズルと、前記第1ノズルの根本部と実質的に同一水平レベル、若しくは前記第1ノズルの根本部より前記基板寄りの水平位置に配置され、前記基板の表面に平行方向の噴射方向を有し、前記第1ノズルよりも本数が少なく、前記成膜若しくはエッチングされる物質に対するスパッタ効率が前記第1イオン種より高い第2イオン種を生成する原料、若しくは前記基板の表面反応に必要なラジカル種を生成する原料となる第2のガスを前記反応室内に導入するための第2ノズルと、前記第1ノズルが配置された位置と前記反応室の頂部との間の空間に前記第1イオン種が高密度に生成された高密度プラズマを生成するための高周波電界印加手段と、を備え、前記第1ノズルおよび前記第2のノズルの少なくとも一方からHeガスを前記反応室内に導入することを特徴とする半導体製造装置。

IPC (5)：

H01L21/205 , C23C16/455 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/3065

FI (5)：

H01L21/205 , C23C16/455 , H01L21/28 301R , H01L21/285 C , H01L21/302 101G

F-Term (39)：

4K030AA06 , 4K030AA13 , 4K030AA14 , 4K030AA16 , 4K030BA40 , 4K030BA44 , 4K030CA04 , 4K030EA04 , 4K030EA06 , 4K030FA04 , 4K030KA49 , 4K030LA15 , 4M104BB18 , 4M104BB30 , 4M104DD44 , 4M104DD45 , 5F004AA11 , 5F004BA08 , 5F004BA13 , 5F004BA14 , 5F004BA20 , 5F004BB13 , 5F004BB18 , 5F004BB23 , 5F004BB28 , 5F004BD04 , 5F045AA08 , 5F045AA10 , 5F045AB01 , 5F045AB04 , 5F045AB06 , 5F045AB32 , 5F045AB33 , 5F045BB19 , 5F045DP03 , 5F045DQ10 , 5F045EF08 , 5F045EH04 , 5F045EH20

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

プラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-273140 Applicant：東京エレクトロン株式会社
プラズマエッチング装置用フォーカスリング
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-180171 Applicant：三菱マテリアル株式会社
プラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-044255 Applicant：東京エレクトロン株式会社

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Cited by examiner (2)

プラズマ処理方法、プラズマ処理装置及び半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-248257 Applicant：株式会社東芝
プラズマCVD装置及びクリーニング方法及び成膜方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-023495 Applicant：三菱重工業株式会社

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