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J-GLOBAL ID：200903067346217343

表面波励起プラズマCVD装置

Inventor：
鈴木 正康

About 鈴木 正康


Applicant, Patent owner：
株式会社島津製作所

About 株式会社島津製作所


Agent (1)： 永井 冬紀
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003379035
Publication number (International publication number)：2005142448
Application date： Nov. 07, 2003
Publication date： Jun. 02, 2005
Summary：
【課題】被処理基板周辺を適正な成膜可能領域とする表面波励起プラズマCVD装置を提供すること。【解決手段】表面波励起プラズマCVD装置100は、シリコン元素を含む材料ガスを上面側導入管および側面側導入管7の少なくとも一方によりチャンバー1内に導入し、表面波励起プラズマPにより活性化して材料ガスに化学反応を起こさせるプロセスガスをプロセスガス導入管5によりチャンバー1内に導入する。上面側導入管および/または側面側導入管7のガス噴出口63,73は、プロセスガス導入管5のガス噴出口53よりも基板10に近く設けることができる。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
マイクロ波を誘電体部材を介してプラズマ処理室内に導入し、前記マイクロ波から表面波を形成し、前記表面波によりプラズマ処理室内のガスを励起して表面波励起プラズマを生成し、前記表面波励起プラズマにより被処理基板上にシリコン化合物を形成する表面波励起プラズマCVD装置であって、 シリコン元素を含む材料ガスを導入し、ガス噴出口から前記プラズマ処理室内に噴出する材料ガス導入手段と、 前記表面波励起プラズマにより活性化して前記材料ガスに化学反応を起こさせるプロセスガスを導入し、前記材料ガス導入手段のガス噴出口と離れて設けられたガス噴出口から前記プラズマ処理室内に噴出するプロセスガス導入手段とを具備することを特徴とする表面波励起プラズマCVD装置。
IPC (5)：
H01L21/205 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C16/511 ,  H05H1/46
FI (5)：
H01L21/205 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C16/511 ,  H05H1/46 B
F-Term (14)：
4K030AA06 ,  4K030BA44 ,  4K030EA03 ,  4K030FA01 ,  5F045AA08 ,  5F045AC00 ,  5F045AC01 ,  5F045AC12 ,  5F045AF01 ,  5F045BB02 ,  5F045DP03 ,  5F045DP04 ,  5F045DQ10 ,  5F045EF01
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (10)
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