炭化珪素半導体装置およびその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：伊藤洋二 , 三浦高広 , 水野史博
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004122796
Publication number (International publication number)：2005310886
Application date： Apr. 19, 2004
Publication date： Nov. 04, 2005
Summary：

【課題】ゲート絶縁膜とチャネル層との間に発生する界面準位に起因したオン抵抗の増加を防止する。【解決手段】パワーMOSFETのゲート絶縁膜7として高誘電体膜を用いている。このため、界面準位がコンダクションバンド近辺に高密度に集中しないようにすることが可能となる。したがって、界面準位が電流の流れに影響を及ぼすことによってチャネル移動度を低下させるという問題を解消でき、チャネル移動度を向上させることが可能となる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

主表面および主表面の反対面である裏面を有し、単結晶炭化珪素からなる半導体基板(1)と、前記半導体基板の主表面上に形成され、前記半導体基板よりも低いドーパント濃度を有する第1導電型の炭化珪素からなるドリフト層(2)と、前記ドリフト層上の所定領域に形成され、所定厚さを有する第2導電型のベース領域(3a、3b)と、前記ベース領域上の所定の表面部に形成され、ベース領域の深さよりも浅い第1導電型のソース領域(4a、4b)と、前記ドリフト層および前記ベース領域の表面部に形成され、前記ソース領域と前記ドリフト層とを繋ぐように形成された所定厚さと所定濃度を有する第1導電型の炭化珪素からなる表面チャネル層(5)と、前記表面チャネル層の表面に形成された高誘電体膜(7a)を含むゲート絶縁膜(7)と、前記ゲート絶縁膜の上に形成されたゲート電極(8)と、前記ソース領域上に形成されたソース電極(10)と、前記半導体基板の裏面に形成された裏面電極(11)とを備えたことを特徴とする炭化珪素半導体装置。

IPC (2)：

H01L29/78 , H01L21/336

FI (7)：

H01L29/78 652K , H01L29/78 652D , H01L29/78 652E , H01L29/78 652J , H01L29/78 652T , H01L29/78 658A , H01L29/78 658F

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

中判カメラ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-091292 Applicant：旭光学工業株式会社

Cited by examiner (8)

炭化珪素半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-357448 Applicant：株式会社デンソー
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-273292 Applicant：株式会社東芝
炭化珪素半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-326936 Applicant：株式会社デンソー

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