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J-GLOBAL ID：200903078302418203

半導体基板、半導体素子及びその製造方法

Inventor： 高橋 邦方 ,  内田 正雄 ,  北畠 真 ,  横川 俊哉 ,  楠本 修 ,  山下 賢哉 ,  宮永 良子
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 前田 弘 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002301293
Publication number (International publication number)：2003234301
Application date： Oct. 16, 2002
Publication date： Aug. 22, 2003
Summary：

【要約】【課題】 平坦な界面及び上面を有する半導体薄膜の成長方法を提供し、これを用いて優れた特性を発揮する半導体素子を提供する。【解決手段】 上面を平坦化処理したSiCバルク基板11を縦型薄膜成長装置内に設置し、不活性ガス雰囲気で加熱する。次に、基板温度が1200°Cから1600°Cの間に流量1mL/でSiの原料ガスを供給する。次いで、1600°Cの温度下、希釈ガスを水素ガスに変え、Si及び炭素の原料ガスを供給し、窒素を間欠的に供給することで、SiC薄膜をSiCバルク基板11の上に積層する。これにより、上面及び内部の界面のステップ高さの平均が30nm以下と平坦化されたδドープ層の積層構造を形成することができるので、これを用いて耐圧が高く、移動度の大きい半導体素子を実現することができる。

Claim (excerpt)：

SiCバルク基板と、上記SiCバルク基板の上方に設けられ、不純物を含むSiC堆積層とを備え、上記SiC堆積層の厚みをtとし、上記SiC堆積層の上面のステップ高さをhとするとき、上記ステップ高さと上記SiC堆積層の厚みとの比h/tが、10-6以上10-1以下の範囲にあり、且つ上記ステップ高さが10nm以下である半導体基板。

IPC (8)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/161 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/78 652 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/872

FI (7)：

H01L 21/205 ,  H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/80 B ,  H01L 29/163 ,  H01L 29/48 D ,  H01L 29/48 P ,  H01L 29/78 301 B

F-Term (59)：

4M104AA03 ,  4M104AA04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104CC05 ,  4M104DD34 ,  4M104DD78 ,  4M104DD83 ,  4M104FF02 ,  4M104GG03 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG12 ,  4M104GG14 ,  4M104HH12 ,  4M104HH20 ,  5F045AA03 ,  5F045AB06 ,  5F045AC01 ,  5F045AC07 ,  5F045AC16 ,  5F045AD18 ,  5F045AE25 ,  5F045AF02 ,  5F045BB16 ,  5F045CA06 ,  5F045DP04 ,  5F045DQ10 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ04 ,  5F102GL02 ,  5F102GM02 ,  5F102GR01 ,  5F102GT03 ,  5F102HC01 ,  5F102HC04 ,  5F140AA05 ,  5F140AC23 ,  5F140BA02 ,  5F140BA20 ,  5F140BB13 ,  5F140BB15 ,  5F140BC05 ,  5F140BC12 ,  5F140BD06 ,  5F140BE07 ,  5F140BF07 ,  5F140BH21 ,  5F140BJ05 ,  5F140BK20 ,  5F140BK21 ,  5F140CE05

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-101621   Applicant：三菱電機株式会社

Cited by examiner (12)

• SiCウエハ、SiC半導体デバイス、および、SiCウエハの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-127471   Applicant：松波弘之, 木本恒暢, 株式会社シクスオン, 関西電力株式会社, 三菱商事株式会社, 住友電気工業株式会社
• <1-100>方向にオフカットした基板上で成長させた炭化ケイ素エピタキシャル層
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2001-505042   Applicant：アドバンスド.テクノロジー.マテリアルス.インコーポレイテッド
• 炭化珪素基板およびその製造方法、並びに炭化珪素基板を用いた半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-241899   Applicant：松下電器産業株式会社
• SiC半導体の表面モホロジー制御方法およびSiC半導体薄膜の成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-084510   Applicant：富士電機株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-101621   Applicant：三菱電機株式会社
• 結晶基板とそれを用いた半導体装置およびその製法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-029825   Applicant：日本電信電話株式会社
• 炭化珪素半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-246629   Applicant：三洋電機株式会社, 工業技術院長, 株式会社日立製作所, 株式会社東芝
• 半導体エピタキシャル基板および半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-172434   Applicant：住友化学工業株式会社
• 半導体膜の成長方法及び半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-060210   Applicant：松下電器産業株式会社
• ドープ層を有する半導体薄膜の成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-251133   Applicant：松下電器産業株式会社
• 特開平4-372122
  
• III -V族化合物半導体エピタキシャル層の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-114319   Applicant：古河電気工業株式会社