Pat
J-GLOBAL ID：200903025577702690

半導体装置及び半導体装置の製造方法

Inventor：
シン・ヂェン・ワン

About シン・ヂェン・ワン


Applicant, Patent owner：
インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

About インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション


Agent (1)： 坂口 博 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999195743
Publication number (International publication number)：2000049333
Application date： Jul. 09, 1999
Publication date： Feb. 18, 2000
Summary：
【要約】【課題】 0.05μm以下のチャネル長を有する短チャネル装置をも制御するためのドーピング構造部を得る。【解決手段】 ゲート40、ゲート40の下のゲート酸化物層41、接合深さ45を有するソース領域42とドレイン領域43、チャネル長44、ハロー注入部46、補償注入部47と側部分布テール48を有する。補償注入部47はゲート酸化物層41の下に設けられ、ハロー注入部46に囲まれている。自己整合ゲート補償注入部(compensation implant)47を使用して、ハロー注入部の側部分布テール48を減少させ、分布テールがオーバーラップしないようすることにより短チャネルVtロールオフを解消している。
Claim (excerpt)：
ゲートと、前記ゲートの下に設けられた補償注入部と、を有する半導体装置。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
  • 特開平4-123439
  • 半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-274674   Applicant：大見忠弘
  • 半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-216827   Applicant：株式会社東芝
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM