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J-GLOBAL ID：200903025595560940

光素子およびその製造方法

Inventor：
布 上 真 也

About 布 上 真 也

, 
石 川 正 行

About 石 川 正 行


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 吉武 賢次 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001269231
Publication number (International publication number)：2002176226
Application date： Sep. 05, 2001
Publication date： Jun. 21, 2002
Summary：
【要約】【課題】 高い反射率を有し、ストップバンドの波長幅が広く、製造が容易なDBRを提供することによって、効率が高く、動作が安定しており、歩留まりが高い光素子及びそれらの製造方法を提供する。【解決手段】 窒化物半導体からなる複数の半導体層が互いにほぼ等間隔に離間して積層された分布ブラック反射鏡(DBR)を用いる。また、窒化物半導体からなる半導体層と、有機膜からなる有機膜層と、を交互に積層した分布ブラック反射鏡(DBR)を用いる。
Claim (excerpt)：
光を反射する反射鏡を備えた光素子であって、前記反射鏡は、アルミニウムを含有する第1の窒化物半導体からなるほぼ同一の膜厚の複数の半導体層が互いにほぼ等間隔に離間して積層された積層体を有することを特徴とする光素子。
IPC (7)：
H01S 5/187 ,  C09K 9/02 ,  G02B 5/23 ,  G02B 5/26 ,  G02B 5/28 ,  H01S 5/22 ,  H01S 5/343 610
FI (7)：
H01S 5/187 ,  C09K 9/02 B ,  G02B 5/23 ,  G02B 5/26 ,  G02B 5/28 ,  H01S 5/22 ,  H01S 5/343 610
F-Term (32)：
2H048DA01 ,  2H048DA04 ,  2H048DA12 ,  2H048DA22 ,  2H048FA04 ,  2H048FA05 ,  2H048FA07 ,  2H048FA09 ,  2H048FA13 ,  2H048FA15 ,  2H048FA22 ,  2H048FA24 ,  2H048GA04 ,  2H048GA05 ,  2H048GA09 ,  2H048GA11 ,  2H048GA23 ,  2H048GA34 ,  2H048GA61 ,  5F073AA04 ,  5F073AA07 ,  5F073AA13 ,  5F073AA65 ,  5F073AA74 ,  5F073AB17 ,  5F073BA06 ,  5F073CA07 ,  5F073DA05 ,  5F073DA06 ,  5F073DA25 ,  5F073DA26 ,  5F073EA28
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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