トレンチショットキバリアダイオード

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：松尾誠剛 , 江森健二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006325447
Publication number (International publication number)：2008140968
Application date： Dec. 01, 2006
Publication date： Jun. 19, 2008
Summary：

【課題】順方向電圧及び逆方向リーク電流のトレードオフが従来よりも改善されたトレンチショットキバリアダイオードを提供する。【解決手段】第1主面側に設けられたn++型カソード領域112及び第2主面側に設けられたn-型ドリフト領域114を有するシリコン基板110と、シリコン基板110の第2主面側に設けられた複数のトレンチ領域116と、シリコン基板110の第2主面側における複数のトレンチ領域116が設けられていない部分に設けられたメサ領域122と、シリコン基板110の第2主面上に設けられメサ領域122との間でショットキ接合を形成するバリア金属層124とを備えるトレンチショットキバリアダイオード100であって、メサ領域122の表面にはn+型半導体領域130が形成されていることを特徴とするトレンチショットキバリアダイオード。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

第1主面側に設けられた第1導電型のカソード領域及び第2主面側に設けられ前記カソード領域が含有する第1導電型の不純物よりも低濃度の第1導電型の不純物を含有する第1導電型のドリフト領域を有する半導体基板と、前記半導体基板の第2主面側に設けられ前記ドリフト領域との境界面に形成された絶縁領域を介して導電材が埋め込まれた構造を有する複数のトレンチ領域と、前記半導体基板の第2主面側における前記複数のトレンチ領域が設けられていない部分に設けられたメサ領域と、前記半導体基板の第2主面上に設けられ前記メサ領域との間でショットキ接合を形成するバリア金属層とを備えるトレンチショットキバリアダイオードであって、前記メサ領域の表面には、前記ドリフト領域が含有する第1導電型の不純物よりも高濃度の第1導電型の不純物を含有する第1導電型の半導体領域が形成されていることを特徴とするトレンチショットキバリアダイオード。

IPC (2)：

H01L 29/47 , H01L 29/872

FI (1)：

H01L29/48 F

F-Term (8)：

4M104AA01 , 4M104BB01 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104CC03 , 4M104FF31 , 4M104GG03 , 4M104HH20

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

ショットキーバリアダイオードの製造方法およびショットキーバリアダイオード
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-240170 Applicant：富士電機株式会社
特許第2911605号公報
ショットキー障壁整流器およびその製造方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平9-540963 Applicant：ノース・キャロライナ・ステイト・ユニヴァーシティ

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Cited by examiner (2)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-117180 Applicant：ローム株式会社
半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-074951 Applicant：富士電機ホールディングス株式会社

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