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J-GLOBAL ID：200903099203530376

半導体装置

Inventor：
吉持 賢一

About 吉持 賢一


Applicant, Patent owner：
ローム株式会社

About ローム株式会社


Agent (2)： 稲岡 耕作 ,  川崎 実夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005117180
Publication number (International publication number)：2006295062
Application date： Apr. 14, 2005
Publication date： Oct. 26, 2006
Summary：
【課題】逆方向リーク電流および順方向電圧の低減が可能な半導体装置を提供する。 【解決手段】ショットキバリアダイオードは、N型半導体基板1と、ショットキ電極3と、ショットキ電極3と半導体基板1との間に逆バイアス電圧が印加されたときに空乏層を生じさせることによりリーク電流を抑制するリーク抑制構造部としてのP型拡散層2とを備える。半導体基板1の表層部において、P型拡散層2に挟まれた領域には、ショットキ電極3との間にショットキ界面を形成するN+型高濃度層5が設けられている。P型拡散層2の代わりに、トレンチゲート構造部をリーク抑制構造部として配置してもよい。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
第1導電型の半導体基板と、 この半導体基板の表面との間にショットキ界面を形成するショットキ電極と、 前記半導体基板の表層部に形成され、前記ショットキ電極と前記半導体基板との間に逆バイアス電圧が印加されたときに空乏層を生じさせることによりリーク電流を抑制するリーク抑制構造部と、 前記半導体基板の表層部において、前記リーク抑制構造部に挟まれた領域に形成され、前記第1導電型を有し、前記半導体基板よりも不純物濃度が高く、前記ショットキ電極との間に前記ショットキ界面を形成する高濃度層とを含むことを特徴とする半導体装置。
IPC (2)：
H01L 29/872 ,  H01L 29/47
FI (1)：
H01L29/48 F
F-Term (9)：
4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB40 ,  4M104CC03 ,  4M104CC05 ,  4M104FF32 ,  4M104FF35 ,  4M104GG03 ,  4M104HH20
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)
  • ショットキーバリア半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-228454   Applicant：ローム株式会社
  • 半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-231511   Applicant：新電元工業株式会社
Cited by examiner (11)
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