銅合金膜形成材料及び銅合金膜形成方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：宇高克己
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998009547
Publication number (International publication number)：1999200048
Application date： Jan. 21, 1998
Publication date： Jul. 27, 1999
Summary：

【要約】【課題】口径が0.25μm以下で、高アスペクト比の配線孔の埋め込みも可能で、かつ、効率が良く、更にはEM寿命が長い銅合金膜の形成技術を提供することである。【解決手段】銅合金膜を形成する為の材料であって、銅の配位錯体と、ジルコニウム、錫、マグネシウム、クロミウム、ニッケル、カドミウム、マンガンの群の中から選ばれる少なくとも一つの金属の有機金属又は金属錯体とからなる。

Claim (excerpt)：

銅合金膜を形成する為の材料であって、銅の配位錯体と、ジルコニウム、錫、マグネシウム、クロミウム、ニッケル、カドミウム、マンガンの群の中から選ばれる少なくとも一つの金属の有機金属又は金属錯体とからなることを特徴とする銅合金膜形成材料。

IPC (3)：

C23C 16/18 , H01L 21/285 301 , H01L 21/3205

FI (3)：

C23C 16/18 , H01L 21/285 301 Z , H01L 21/88 M

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体装置の製造方法及び化学気相成長装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-024073 Applicant：株式会社東芝
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-102315 Applicant：日本電信電話株式会社
特開平2-119140

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