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J-GLOBAL ID：200903025884372133

光電変換素子及びその製造方法

Inventor： 安井 孝成
Applicant, Patent owner： 国立大学法人長岡技術科学大学
Agent (5)： 牛木 護 ,  吉田 正義 ,  今枝 弘充 ,  梅村 裕明 ,  清水 栄松
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007207705
Publication number (International publication number)：2009043965
Application date： Aug. 09, 2007
Publication date： Feb. 26, 2009
Summary：

【課題】簡易な構成で製造コストを低減できる光電変換素子及びその製造方法を提案する。【解決手段】pn接合を設けなくとも、CoSixからなる光電変換膜3の正極4の近傍付近に光Lを照射することにより光誘起電流を発生させることができるので、従来のようなpn接合を形成する複雑な製造プロセスを省くことができ、当該pn接合等の各種構成が不要な分だけ、簡易な構成で製造コストを低減できる。また、キャリアの移動経路をデバイス表面に制限でき、散乱や伝送損失を低減化し、高速なキャリアを利用した高周波デバイスができる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

光を光電変換する光電変換素子において、 Siからなる基板と、前記基板に積層形成されたCoSixからなる光電変換膜と、前記光電変換膜に設けられた電極とを備えることを特徴とする光電変換素子。

IPC (3)：

H01L 31/024 ,  H01L 31/108 ,  H01L 31/04

FI (3)：

H01L31/08 G ,  H01L31/10 C ,  H01L31/04 Z

F-Term (25)：

5F049MA05 ,  5F049MB01 ,  5F049NA20 ,  5F049PA07 ,  5F049PA11 ,  5F049SE05 ,  5F049SS03 ,  5F049WA03 ,  5F051AA20 ,  5F051CB15 ,  5F051CB24 ,  5F051DA06 ,  5F051FA06 ,  5F051GA04 ,  5F088AA11 ,  5F088AB01 ,  5F088BA20 ,  5F088CB07 ,  5F088CB11 ,  5F088CB15 ,  5F088FA01 ,  5F088GA04 ,  5F088LA01 ,  5F088LA03 ,  5F088LA09

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

• シリコンベースショットキ障壁赤外線光検出器
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2006-541343   Applicant：シオプティカルインコーポレーテッド, パテル,ヴィプルクマー, ギロン,マーガレット, ゴートスカー,プラカシュ, モンゴメリー,ロバート,キース, パサク,ソハム, ピエド,デービット, シャスリ,カルペンドゥ, ヤヌシェフスキ,キャサリン,エー.
• 半導体受光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-152500   Applicant：ソニー株式会社
• 可変検出スレッショルドを有する光検出デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-058839   Applicant：フランステレコムエタブリスマンオトノムドドルワピュブリク(サーントルナショナルデチュドデテレコミュニカシオン)
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-292430   Applicant：株式会社東芝
• ダイオードおよびそのような素子を含む部品
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平7-524905   Applicant：フォルシュングスツェントルム・ユーリッヒ・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング

Cited by examiner (5)

• シリコンベースショットキ障壁赤外線光検出器
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2006-541343   Applicant：シオプティカルインコーポレーテッド, パテル,ヴィプルクマー, ギロン,マーガレット, ゴートスカー,プラカシュ, モンゴメリー,ロバート,キース, パサク,ソハム, ピエド,デービット, シャスリ,カルペンドゥ, ヤヌシェフスキ,キャサリン,エー.
• 半導体受光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-152500   Applicant：ソニー株式会社
• 可変検出スレッショルドを有する光検出デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-058839   Applicant：フランステレコムエタブリスマンオトノムドドルワピュブリク(サーントルナショナルデチュドデテレコミュニカシオン)
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-292430   Applicant：株式会社東芝
• ダイオードおよびそのような素子を含む部品
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平7-524905   Applicant：フォルシュングスツェントルム・ユーリッヒ・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• "Electro-optical characterization of Epitaxial and Polycrystalline CoSi2 Schottky Diodes"
• "Self formation of Si nanostructured layer at the metal silicide/silicon interface"