半導体発光素子

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：藤谷修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004288880
Publication number (International publication number)：2006108161
Application date： Sep. 30, 2004
Publication date： Apr. 20, 2006
Summary：

【課題】高光度の半導体発光素子を提供する。【解決手段】フリップチップ型の III族窒化物系化合物半導体発光素子において、p型コンタクト層上にITOから成る透明導電膜10を形成し、その上に絶縁性保護膜20を形成し、その上に、銀(Ag)、アルミニウム(Al)から成る、光をサファイア基板側へ反射する反射膜30を形成し、その上に、金(Au)から成る金属層40を形成する。透明導電膜10と反射膜30との間には、絶縁性保護膜20が介在しているので、反射膜30の構成する金属原子が透明導電膜10に拡散することが防止される。この結果、透明導電膜10は高透過率を維持する。この結果、外部量子効率の高い発光素子を得ることができる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

透光性基板と、この透光性基板の上に積層された半導体層とを有し、n電極とp電極とが前記透光性基板に対して前記半導体層側に形成され、発光した光を前記透光性基板側から放射するフリップチップ型の半導体発光素子において、前記半導体層の最上層であるコンタクト層と、該コンタクト層上に形成された前記光に対して透明な透明導電膜と、該透明導電膜上に形成された絶縁性保護薄膜と、該絶縁性保護膜上に形成された金属から成る前記光に対して高反射率を有する反射膜と、該反射膜上に形成されると共に前記透明導電膜の一部と接合するように形成された電極層とを有することを特徴とする半導体発光素子。

IPC (1)：

H01L 33/00

FI (1)：

H01L33/00 A

F-Term (13)：

5F041AA03 , 5F041CA04 , 5F041CA05 , 5F041CA13 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA88 , 5F041CA91 , 5F041CA92 , 5F041CA93 , 5F041CB15 , 5F041CB36 , 5F041DA09

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

III族窒化物系化合物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-056357 Applicant：豊田合成株式会社
特開10-4208
実登3068914

Cited by examiner (3)

フリップチップ型光半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-141873 Applicant：日亜化学工業株式会社
発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-021126 Applicant：日亜化学工業株式会社
半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-095217 Applicant：スタンレー電気株式会社

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