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J-GLOBAL ID：200903068721893293

半導体発光素子

Inventor：
堀尾 直史

About 堀尾 直史

, 
土谷 正彦

About 土谷 正彦

, 
田村 一志

About 田村 一志


Applicant, Patent owner：
スタンレー電気株式会社

About スタンレー電気株式会社


Agent (2)： 高橋 敬四郎 ,  来山 幹雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004095217
Publication number (International publication number)：2005302747
Application date： Mar. 29, 2004
Publication date： Oct. 27, 2005
Summary：
【課題】マイグレーションし易い金属を用いた半導体発光素子において、マイグレーションを抑制し、信頼性の向上を図ることができる半導体発光素子を提供する。【解決手段】発光積層構造が、n型の窒化物半導体からなる第1の層、及び第1の層の上に配置されたp型の窒化物半導体からなる第2の層を含み、第1の層と第2の層との間に発光領域を画定する。第1の層の表面の一部の第1の領域において、第2の層が除去されて第1の層が現われている。第2の層の表面上に、第2の層に電気的に接続されたp側電極が配置されている。絶縁膜がp側電極を覆う。第1の領域に、第1の層に電気的に接続されたn側電極が配置されている。反射膜が、絶縁膜の上からn側電極まで至り、n側電極に電気的に接続されている。反射膜は、銀を含む合金または銀で形成されている。【選択図】図1(A)
Claim (excerpt)：
n型の窒化物半導体からなる第1の層、及び該第1の層の上に配置されたp型の窒化物半導体からなる第2の層を含み、該第1の層と第2の層との間に発光領域を画定し、該第1の層の表面の一部の第1の領域において、該第2の層が除去されて該第1の層が現われている発光積層構造と、 前記第2の層の表面上に配置され、該第2の層に電気的に接続されたp側電極と、 前記p側電極を覆う絶縁膜と、 前記第1の領域において、前記第1の層に電気的に接続されたn側電極と、 前記絶縁膜の上に配置され、前記n側電極まで至り、該n側電極に電気的に接続され、銀を含む合金または銀で形成された反射膜と を有する半導体発光素子。
IPC (1)：
H01L33/00
FI (1)：
H01L33/00 C
F-Term (10)：
5F041AA43 ,  5F041CA04 ,  5F041CA13 ,  5F041CA34 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F041CA74 ,  5F041CA83 ,  5F041CA92 ,  5F041FF11
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (6)
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