有機薄膜トランジスタ素子

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003036452
Publication number (International publication number)：2004247558
Application date： Feb. 14, 2003
Publication date： Sep. 02, 2004
Summary：

【課題】有機薄膜トランジスタ素子のキャリア移動度を向上させて、on/off比を高くする。【解決手段】酸化チタンを含有するゲート絶縁層及び、少なくとも一方の界面に配向膜が形成された有機半導体層を有する有機薄膜トランジスタ素子。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

酸化チタンを含有するゲート絶縁層及び、少なくとも一方の界面に配向膜が形成された有機半導体層を有することを特徴とする有機薄膜トランジスタ素子。

IPC (3)：

H01L29/786 , H01L21/336 , H01L51/00

FI (5)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 617T , H01L29/78 617V , H01L29/78 618A , H01L29/28

F-Term (26)：

5F110AA05 , 5F110AA30 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110GG05 , 5F110GG24 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110GG57 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK07 , 5F110HK32 , 5F110HK33

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

電界効果型トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-039712 Applicant：日本電気株式会社
液晶表示装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-077787 Applicant：株式会社リコー
コプラナー型半導体装置とそれを用いた表示装置および製法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-055997 Applicant：株式会社日立製作所

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