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J-GLOBAL ID：200903025971517385

位相シフトマスクの製造方法

Inventor：
須田 秀喜

About 須田 秀喜


Applicant, Patent owner：
HOYA株式会社

About HOYA株式会社


Agent (1)： 藤村 康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003293835
Publication number (International publication number)：2005062571
Application date： Aug. 15, 2003
Publication date： Mar. 10, 2005
Summary：
【課題】 品質を損なわずに、補助パターン型位相シフトマスクを製造することが可能とする。【解決手段】 第1工程において、主開口部5及び補助開口部6からなる遮光性膜パターン2aを形成し、次いで、第2工程において透明基板の彫り込みエッチング(基板彫り込み部8の形成)を行うことにより、第1工程において主開口部と補助開口部を同時に露光することができ、両者の位置合わせ精度が良好となる。さらに、遮光性膜2のパターニングをエッチングマスク層3aを用いて行うことにより、遮光性膜の加工精度が良好となり、さらに、該エッチングマスク層3aの除去を、最終工程である第3工程で行うことにより、第2工程における透明基板の彫り込みエッチングの際にエッチングマスク層3aが遮光性膜パターン2aを保護することができ、透明基板の彫り込みエッチングの際に遮光性膜パターン2aがダメージを受けることを防止することができる。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
透明基板上に遮光性膜を一部除去してなる主開口部と、前記主開口部の周辺部分に補助 開口部とを有すると共に、前記主開口部と補助開口部とを通過する光の位相が所定角度異 なるように、前記透明基板が深さ方向に一部除去された位相シフトマスクの製造方法にお いて、 基板上に、遮光性膜、エッチングマスク層を形成するための薄膜、第1のレジスト膜が 順次形成されたフォトマスクブランクを準備する工程と、 前記第1のレジスト膜に、主開口部及び補助開口部に対応するパターンを露光し、現像 して第1のレジストパターンを形成する工程と、 前記第1のレジストパターンをマスクに、エッチングマスク層を形成するための薄膜を エッチングする工程と、 前記エッチングマスク層をマスクに、遮光性膜をエッチングする工程と、 残存した前記第1のレジストパターンを剥離する工程と、 を含む第1工程と、 前記第1工程において得られた基板上に第2のレジスト膜を形成する工程と、 前記主開口部及び前記補助開口部の何れか一方に対応するパターンを露光し、現像して 第2のレジストパターンを形成する工程と、 前記第2のレジストパターンをマスクに、前記透明基板の一部を、前記主開口部と補助 開口部とを通過する光の位相が所定角度異なるような深さにエッチングする工程と、 残存した前記第2レジストパターンを剥離する工程と、 を含む第2工程と、 前記第2工程で得られた基板におけるエッチングマスク層の所望の一部、又は全部を除 去する工程 を含む第3工程と、 を有することを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
IPC (2)：
G03F1/08 ,  H01L21/027
FI (2)：
G03F1/08 A ,  H01L21/30 502P
F-Term (8)：
2H095BB03 ,  2H096AA24 ,  2H096BA09 ,  2H096EA06 ,  2H096HA23 ,  2H096HA30 ,  2H096JA04 ,  2H096LA01
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (8)
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Cited by examiner (5)
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