半導体発光素子

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001017486
Publication number (International publication number)：2002222991
Application date： Jan. 25, 2001
Publication date： Aug. 09, 2002
Summary：

【要約】【課題】白色LEDは、白熱電球や蛍光灯と比較すると、発光効率が良く、発熱が極めて少なく、低消費電力なため、白熱電球や蛍光灯に変わる光源として注目され、携帯電話等のバックライトに既に使用されているが、より広く普及させるには、さらに効率がよく、簡便に大きな面積を作製できることが望まれている。【解決手段】そこで、ZnO系半導体とGaN系半導体とを接合し、人間の視感度曲線に極めて近い発光特性にて発光する白色LEDを、蛍光体を使わずに、簡易に製作することとした。

Claim (excerpt)：

n形半導体部分にはZnO系半導体、p形半導体部分にはGaN系半導体を用いることを特徴とする半導体発光素子。

FI (2)：

H01L 33/00 D , H01L 33/00 C

F-Term (9)：

5F041AA11 , 5F041CA03 , 5F041CA40 , 5F041CA41 , 5F041CA46 , 5F041CA65 , 5F041CA66 , 5F041CA74 , 5F041CA77

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

p型電極構造およびそれを有する半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-246626 Applicant：日本電気株式会社
半導体デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-082043 Applicant：科学技術振興事業団
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-036363 Applicant：株式会社東芝

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