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J-GLOBAL ID:200903026147971308

回路装置、その製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 金田 暢之 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999159777
Publication number (International publication number):2000349203
Application date: Jun. 07, 1999
Publication date: Dec. 15, 2000
Summary:
【要約】【課題】 フリップチップをインターポーザ基板に実装したBGAパッケージの生産性と強度を向上させる。【解決手段】 フリップチップ2の下面とインターポーザ基板3の上面との間隙を一個のモールド樹脂101で充填させるとともに、この一個のモールド樹脂101でインターポーザ基板3の上面とヒートスプレッダ11の下面との間隙も充填させる。一個のモールド樹脂101を各部に大面積で接触させて接合強度を向上させ、一個のモールド樹脂101にアンダーフィル樹脂とスティフナとを兼用させて製造工程と構成部品とを削減する。
Claim (excerpt):
少なくともフリップチップとインターポーザ基板とを具備している回路装置であって、前記フリップチップは下面に多数の接続パッドが高密度に配列されており、前記インターポーザ基板は多数の接続パッドが上面に高密度に配列されているとともに下面に低密度に配列されており、前記インターポーザ基板の両面の多数の前記接続パッドが相互に適宜接続されており、前記フリップチップの下面と前記インターポーザ基板の上面との前記接続パッドが多数の半田バンプにより個々に機械的に接合されるとともに電気的に接続されている回路装置において、トランスファモールドにより形成されて前記フリップチップの下面と前記インターポーザ基板の上面との間隙を充填するとともに前記インターポーザ基板の上面と前記フリップチップの外周部とを封止する一個のモールド樹脂を具備していることを特徴とする回路装置。
IPC (4):
H01L 23/28 ,  H01L 21/56 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 23/12
FI (4):
H01L 23/28 Z ,  H01L 21/56 T ,  H01L 21/60 311 S ,  H01L 23/12 L
F-Term (17):
4M109AA01 ,  4M109BA04 ,  4M109CA21 ,  4M109DA07 ,  4M109DB02 ,  4M109DB17 ,  4M109GA05 ,  5F044KK02 ,  5F044LL01 ,  5F044RR18 ,  5F044RR19 ,  5F061AA01 ,  5F061BA04 ,  5F061CA21 ,  5F061DA05 ,  5F061DA06 ,  5F061FA05
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
  • 樹脂封止型半導体装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平5-142212   Applicant:ソニー株式会社
  • 半導体装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平7-113375   Applicant:日東電工株式会社
  • 実装用半導体装置とその実装方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平7-211731   Applicant:株式会社日立製作所
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