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J-GLOBAL ID:200903026236248202

ダイヤモンド紫外光センサー

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004340657
Publication number (International publication number):2006156464
Application date: Nov. 25, 2004
Publication date: Jun. 15, 2006
Summary:
【課題】従来のダイヤモンド半導体を受光部に用いた紫外光センサー素子は、整流性およびオーム性電極いずれに対しても、Au基電極材を使用していた。しかしながら、Au基電極材はダイヤモンドとの密着性が悪いこと、機械的強度が弱いこと、更に熱安定性が悪いことの致命的な欠点があった。【解決手段】素子構造の複雑化を回避しながら光伝導型センサー素子の特徴を生かしつつ、機械的強度が強い高融点金属のカーバイド化合物(TiC、ZrC、HfC、VC、NbC、TaC、CrC、MoC、およびWC)を整流性電極及び/又はオーム性電極に用いることによって、波長260nm以下の紫外光に対する受光感度を持つ、極めて熱安定なダイヤモンド紫外光センサーを提供する。 【選択図】 図1
Claim (excerpt):
受光部材料の電気抵抗の変化又は光誘起電流の変化によって、受光部に照射される光を検 出する、2端子電極を持つ光伝導型又はショットキー型光センサー素子であって、表面伝 導層を除去したダイヤモンド表面を受光部および電極との接合界面に用い、整流性電極に 高融点金属元素のカーバイド化合物TiC、ZrC、HfC、VC、NbC、TaC、CrC、MoC、およびWC の内少なくとも1つを単一層として用い、オーム性電極に第1層としてダイヤモンドと反 応することによってカーバイド又は炭素との固溶体を形成できる反応可能な単一金属を用 い、第2層に高融点金属元素のカーバイド化合物TiC、ZrC、HfC、VC、NbC、TaC、CrC、Mo C、およびWCの内少なくとも1つを用いた構造を持つダイヤモンド紫外光センサー。
IPC (2):
H01L 31/00 ,  H01L 31/108
FI (2):
H01L31/00 B ,  H01L31/10 C
F-Term (18):
5F049MA05 ,  5F049MB03 ,  5F049MB12 ,  5F049NA01 ,  5F049NA07 ,  5F049SE12 ,  5F049SS03 ,  5F049WA05 ,  5F088AA12 ,  5F088AB03 ,  5F088AB17 ,  5F088BA01 ,  5F088BA11 ,  5F088BB10 ,  5F088DA05 ,  5F088FA12 ,  5F088GA04 ,  5F088LA05
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (3) Cited by examiner (6)
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