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J-GLOBAL ID：200903026482300043

フッ素化プロトン伝導性高分子膜およびその製造方法

Inventor：
黒松 秀寿

About 黒松 秀寿

, 
南村 清之

About 南村 清之


Applicant, Patent owner：
鐘淵化学工業株式会社

About 鐘淵化学工業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003174422
Publication number (International publication number)：2004083864
Application date： Jun. 19, 2003
Publication date： Mar. 18, 2004
Summary：
【課題】プロトン伝導性に加え、優れた耐酸化性を有し、固体高分子形燃料電池の電解質膜として有用なフッ素化プロトン伝導性高分子膜およびその製造方法を提供する。【解決手段】芳香族高分子化合物とプロトン伝導性置換基からなるプロトン伝導性高分子膜であって、前記芳香族高分子化合物の芳香族単位の少なくとも一部分の原子がフッ素原子で置換されているフッ素化プロトン伝導性高分子膜。あるいは、芳香族高分子化合物とプロトン伝導性置換基からなるプロトン伝導性高分子膜とフッ素導入剤を接触させるフッ素化プロトン伝導性高分子膜の製造方法。【選択図】 なし
Claim (excerpt)：
下記一般式(1)〜(8)の群から選択される少なくとも1種の繰り返し単位からなる芳香族高分子化合物とプロトン伝導性置換基からなるプロトン伝導性高分子膜であって、前記芳香族高分子化合物の芳香族単位の少なくとも一部分の原子がフッ素原子で置換されているフッ素化プロトン伝導性高分子膜。
IPC (3)：
C08J5/22 ,  H01M8/02 ,  H01M8/10
FI (4)：
C08J5/22 101 ,  C08J5/22 ,  H01M8/02 P ,  H01M8/10
F-Term (14)：
4F071AA51 ,  4F071AA58 ,  4F071AA60 ,  4F071AA61 ,  4F071AA62 ,  4F071AA69 ,  4F071FA05 ,  4F071FA11 ,  4F071FB01 ,  4F071FC01 ,  4F071FD04 ,  5H026AA06 ,  5H026CX04 ,  5H026EE19
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (12)
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