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J-GLOBAL ID：200903026498874880

薄膜形成方法、薄膜形成装置及び太陽電池

Inventor： 伊藤 憲和 ,  渡部 嘉 ,  松田 彰久 ,  近藤 道雄
Applicant, Patent owner： アネルバ株式会社 ,  経済産業省産業技術総合研究所長 ,  松田 彰久 ,  近藤 道雄
Agent (3)： 中西 次郎 ,  中西 次郎 ,  中西 次郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000112693
Publication number (International publication number)：2001295052
Application date： Apr. 13, 2000
Publication date： Oct. 26, 2001
Summary：

【要約】【課題】 本発明は、大型基板に、膜厚均一性に優れた薄膜を形成でき、更には、高いスループットで形成可能な薄膜形成方法及び装置を提供することを目的とする。また、特性に優れしかも低コストの太陽電池を提供することを目的とする。【解決手段】 成膜室内に配置され、少なくとも1つの給電部と少なくとも1つの接地部とを有する誘導結合型電極と、前記給電部に接続された高周波電源と、該高周波電源から出力される高周波電力をAM変調を行う波形発生器とからなり、AM変調された高周波電力を前記誘導結合型電極に供給してプラズマを発生させ、前記誘導型電極に面して配置された基板上に薄膜を形成する構成としたことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

少なくとも1つの給電部と少なくとも1つの接地部とを有する誘導結合型電極を成膜室内部に配置し、前記給電部にAM変調した高周波電力を供給してプラズマを発生させ、前記誘導結合型電極に面して配置された基板上に薄膜を形成することを特徴とする薄膜形成方法。

IPC (3)：

C23C 16/509 ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/04

FI (3)：

C23C 16/509 ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/04 V

F-Term (17)：

4K030AA06 ,  4K030BA30 ,  4K030FA04 ,  4K030KA14 ,  4K030KA49 ,  4K030LA16 ,  5F045AA08 ,  5F045AB04 ,  5F045AC01 ,  5F045AD06 ,  5F045AE17 ,  5F045BB02 ,  5F045CA13 ,  5F051AA05 ,  5F051BA12 ,  5F051CA16 ,  5F051CA23

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• プラズマ処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-297143   Applicant：東京エレクトロン株式会社
• プラズマCVD装置並びに太陽電池およびこれを作製するプラズマCVD方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-194966   Applicant：工業技術院長, アネルバ株式会社, 鐘淵化学工業株式会社, シャープ株式会社
• チタン系導電性薄膜の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-288118   Applicant：アネルバ株式会社
• 高周波電力印加装置、プラズマ発生装置、プラズマ処理装置、高周波電力印加方法、プラズマ発生方法及びプラズマ処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-001242   Applicant：松下電器産業株式会社
• 薄膜形成装置及び薄膜形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-242781   Applicant：株式会社東芝