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J-GLOBAL ID：200903083583355047

チタン系導電性薄膜の作製方法

Inventor： 関口 敦 ,  戸部 了己 ,  佐々木 雅夫 ,  高木 憲一
Applicant, Patent owner： アネルバ株式会社
Agent (1)： 鈴木 利之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995288118
Publication number (International publication number)：1997111460
Application date： Oct. 11, 1995
Publication date： Apr. 28, 1997
Summary：

【要約】【目的】 処理室の内部に配置したプラズマ発生電極の一端をコンデンサを介して接地することにより、チタン系導電性薄膜の作製において、塩素混入量の少ない高品質の薄膜を得る。【構成】 1ターンループの形状をしたプラズマ発生電極61の一方の導入端子62を高周波電源52に接続し、他方の導入端子63をコンデンサ81を介して接地する。四塩化チタンを毎分20ミリリットル、水素ガスを毎分30ミリリットル、窒素ガスを毎分10ミリリットルの流量で処理室20に導入し、処理室20内の圧力を約1Paに設定し、基体21の温度を450°C〜600°Cに設定する。高周波電源52の出力を2.5kWとして低圧高密度のプラズマを発生させると、窒化チタンの膜が毎分約30nmの速度で堆積する。得られた窒化チタンの膜は、塩素混入量が1%以下になり、金属光沢のある低抵抗の膜となった。

Claim (excerpt)：

処理室に原料ガスを導入してプラズマCVD法で処理室内の基体上にチタン系導電性薄膜を堆積させるチタン系導電性薄膜の作製方法において、二つの端子を備えたプラズマ発生電極を前記処理室の内部に配置し、このプラズマ発生電極の一方の端子を高周波電力供給源に接続し、他方の端子をコンデンサを介して接地して、前記処理室の内部にプラズマを発生させることを特徴とするチタン系導電性薄膜の作製方法。

IPC (9)：

C23C 16/50 ,  C01G 23/00 ,  C23C 16/14 ,  C30B 29/02 ,  C30B 29/10 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  H05H 1/46

FI (9)：

C23C 16/50 ,  C01G 23/00 Z ,  C23C 16/14 ,  C30B 29/02 ,  C30B 29/10 ,  C30B 29/38 Z ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/285 301 R ,  H05H 1/46 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• プラズマ処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-069137   Applicant：国際電気株式会社
• 特開平2-235332
  
• 成膜方法およびこれに用いるプラズマ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-016562   Applicant：ソニー株式会社
• プラズマCVD法および半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-262784   Applicant：日本電信電話株式会社
• チタンまたはチタン化合物の薄膜形成装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-345796   Applicant：住友金属工業株式会社
• マルチカスプ磁場発生装置及びプラズマ処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-114275   Applicant：日電アネルバ株式会社