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J-GLOBAL ID：200903026532533990

CPP型磁気抵抗効果素子および磁気ディスク装置

Inventor： 原 晋治 ,  宮内 大助 ,  島沢 幸司 ,  土屋 芳弘 ,  水野 友人 ,  町田 貴彦
Applicant, Patent owner： TDK株式会社
Agent (2)： 皿田 秀夫 ,  米田 潤三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008168269
Publication number (International publication number)：2009088478
Application date： Jun. 27, 2008
Publication date： Apr. 23, 2009
Summary：

【課題】 スペーサー層に半導体酸化物層を用いた磁気抵抗効果素子構造において、加工プロセス上の熱や応力によって、素子の特性の変動や、経時劣化が起こり難い、新規な磁気抵抗効果素子の構造を提供する。【解決手段】 スペーサー層に用いられる半導体酸化物層が、CPP-GMR素子の側面を電気的に保護するために形成された絶縁層と接する箇所に、窒素元素を含有する界面保護層を介在させる。これによって、半導体酸化物層の界面保護層との接合表面に共有結合性の高い窒化物が形成され、半導体酸化物層から酸素の移動が抑制されて、素子特性の変動や劣化が抑制される。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

スペーサー層と、 前記スペーサー層を挟むようにして積層形成される第1の強磁性層および第2の強磁性層を有し、この積層方向にセンス電流が印加されてなるCPP(Current Perpendicular to Plane)構造の巨大磁気抵抗効果素子(CPP-GMR素子)であって、 第1の強磁性層および第2の強磁性層は、双方の層の磁化の向きがなす角度が、外部磁界に応じて相対的に変化するように機能しており、 前記スペーサー層は、半導体酸化物層を含み、 前記スペーサー層の全部または一部を構成する半導体酸化物層が、絶縁層と接する箇所において、当該半導体酸化物層と当該絶縁層との間に、窒素元素を含有する界面保護層が介在されることを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (3)：

H01L 43/10 ,  H01L 43/08 ,  G11B 5/39

FI (3)：

H01L43/10 ,  H01L43/08 Z ,  G11B5/39

F-Term (31)：

5D034BA04 ,  5D034BA12 ,  5D034BA15 ,  5D034BA21 ,  5D034BB09 ,  5D034CA04 ,  5F092AA15 ,  5F092AB03 ,  5F092AC08 ,  5F092AD03 ,  5F092BB03 ,  5F092BB09 ,  5F092BB10 ,  5F092BB15 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB31 ,  5F092BB32 ,  5F092BB38 ,  5F092BB42 ,  5F092BB53 ,  5F092BB81 ,  5F092BB82 ,  5F092BC03 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07 ,  5F092BC14 ,  5F092BC18 ,  5F092BE24 ,  5F092BE27 ,  5F092CA25

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

• 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気再生装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-190511   Applicant：株式会社東芝
• 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気再生装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-093358   Applicant：株式会社東芝
• 磁気抵抗効果型磁気ヘッド及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-292840   Applicant：ソニー株式会社
• 磁気抵抗効果型ヘッドおよび磁気記録再生装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-306661   Applicant：株式会社日立製作所
• 磁気抵抗効果型ヘッド及びそれを用いた磁気記録再生装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-204912   Applicant：株式会社日立製作所

Cited by examiner (5)

• 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気再生装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-190511   Applicant：株式会社東芝
• 磁気メモリセルおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-243278   Applicant：マグアイシーテクノロジーズインコーポレイテッド
• 磁気検出素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-168218   Applicant：アルプス電気株式会社
• 磁気抵抗効果ヘッド、その製造方法、及びそれを用いた磁気記録装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-160728   Applicant：日本電気株式会社
• 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気再生装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-093358   Applicant：株式会社東芝