塩基性化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：奥山尚一 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001164043
Publication number (International publication number)：2002363146
Application date： May. 31, 2001
Publication date： Dec. 18, 2002
Summary：

【要約】【課題】より高いコントラスト、即ちより広いフォーカスマージンを有するとともに、密集パターンと孤立パターンの寸法比の問題を解決したレジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】下記一般式(1)、一般式(2)及び一般式(3)で表される塩基性化合物を提供し、また、下記一般式(5)〜(9)からなる一群から選ばれる塩基性化合物の1種又は2種以上を含有することを特徴とするレジスト材料を提供する。さらに、これらのレジスト材料を基板上に塗布する工程と、次いで加熱処理後、フォトマスクを介して波長300nm以下の高エネルギー線もしくは電子線で露光する工程と、必要に応じて加熱処理した後、現像液を用いて現像する工程と、を含むパターン形成方法を提案するものである。【化1】

Claim (excerpt)：

下記一般式(1)で表される塩基性化合物。【化1】(上式中、R0は炭素数1〜6の直鎖状又は分岐状のアルキル基であり、ヒドロキシ基、エーテル基、カルボニル基、エステル基、ラクトン環、又はカーボネート基を含んでも良い。aは1又は2であり、bは1又は2であり、かつa+b=3を満足する。)

IPC (10)：

C07C215/12 , C07C217/64 , C07C219/06 , C07C229/14 , C07C255/24 , C07D295/02 , G03F 7/004 501 , G03F 7/038 601 , G03F 7/039 601 , H01L 21/027

FI (10)：

C07C215/12 , C07C217/64 , C07C219/06 , C07C229/14 , C07C255/24 , C07D295/02 , G03F 7/004 501 , G03F 7/038 601 , G03F 7/039 601 , H01L 21/30 502 R

F-Term (26)：

2H025AA00 , 2H025AA02 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC05 , 2H025AC06 , 2H025AC08 , 2H025AD01 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BG00 , 2H025CC03 , 2H025CC20 , 2H025FA03 , 2H025FA12 , 2H025FA17 , 4H006AA01 , 4H006AA03 , 4H006AB92 , 4H006BJ50 , 4H006BN10 , 4H006BP10 , 4H006BT12 , 4H006BU38 , 4H006BU40 , 4H006QN30

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

特表平6-501960
抗ウイルス活性及び抗炎症活性を賦与された炭酸のジエステル
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